InSb111A面腐蚀坑成因分析-激光与红外.PDFVIP

第４４卷　 第９期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．９ 　 ２０１４年９月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ，２０１４ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１４）０９１０１１０３ ·红外材料与器件 · ＩｎＳｂ（１１１）Ａ面腐蚀坑成因分析 吴　卿，巩　锋，陈元瑞，侯晓敏，崔健维 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了ＩｎＳｂ晶片（１１１）Ａ面经特定腐蚀剂腐蚀后出现 的两种特征腐蚀坑，并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐蚀坑形貌的演变。从理论上对腐蚀 坑形貌的成因进行了分析，结果显示１类特征腐蚀坑的成因是由于晶片固有的位错缺陷，２类 特征腐蚀坑可能是由于晶片表面存在一定深度的损伤层引起的。 关键词：ＩｎＳｂ；腐蚀坑；位错；损伤层 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１４．０９．０１３ ＡｎａｌｙｓｉｓｏｆｅｔｃｈｐｉｔｓｏｎＩｎＳｂ（１１１）Ａｓｕｒｆａｃｅ ＷＵＱｉｎｇ，ＧＯＮＧＦｅｎｇ，ＣＨＥＮＹｕａｎｒｕｉ，ＨＯＵＸｉａｏｍｉｎ，ＣＵＩＪｉａｎｗｅｉ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｗｏｋｉｎｄｓｏｆｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｅｔｃｈｐｉｔｓｏｎＩｎＳｂ（１１１）Ａｓｕｒｆａｃｅｔｈａｔａｐｐｅａｒｅｄａｆｔｅｒｅｔｃｈｉｎｇｂｙｓｐｅｃｉｆｉｃｅｔｃｈａｎｔ ａｒｅａｎａｌｙｚｅｄｂｙｏｐｔｉｃａｌｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅａｎｄｏｐｔｉｃａｌｃｏｎｔｏｕｒｇｒａｐｈ，ｔｈｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｅｖｏｌｕｔｉｏｎｏｆｅｔｃｈｐｉｔｓａｒｅａｌｓｏｏｂｓｅｒｖｅｄ ｔｈｒｏｕｇｈｓｅｖｅｒａｌｔｉｍｅｓｃｏｒｒｏｓｉｏｎｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓＴｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｔｗｏｋｉｎｄｓｏｆｅｔｃｈｐｉｔｓｉｓｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｌｙａｎａｌｙｚｅｄＴｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｔｙｐｅ１ｅｔｃｈｐｉｔｓａｒｅｉｎｄｕｃｅｄｂｙｉｎｔｒｉｎｓｉｃｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｄｅｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｗａｆｅｒ，ａｎｄｔｈｅｔｙｐｅ２ｅｔｃｈｐｉｔｓ ｍａｙｂｅｉｎｄｕｃｅｄｂｙｅｘｉｓｔｉｎｇａｃｅｒｔａｉｎｄｅｐｔｈｓｕｒｆａｃｅｄａｍａｇｅｌａｙｅｒ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩｎＳｂ；ｅｔｃｈｐｉｔ；ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ；ｓｕｒｆａｃｅｄａｍａｇｅｌａｙｅｒ １　引　言 晶片，晶片表面经过研磨、抛光等标准ＩｎＳｂ晶片加 ＩｎＳｂ是制备３～５ ｍ红外探测器的主要半导 工工艺，表面质量达到后道器件工艺要求。清洗后 μ ［１］ 的晶片使用腐蚀剂Ａ（重铬酸钾水溶液：盐酸：氢溴 体材料 。现代半导体材料与半导体器件制造技 术的发展与半导体表面处理工艺的进步紧密相关， 酸：草酸水溶液＝２∶２∶１∶３）腐蚀１ｍｉｎ。 获得高质量的材料表面对于半导体器件制备工艺至 ２２　表面缺陷观测 ［２］ 使用ＭＸ６１型光学显微镜对腐蚀后晶片Ａ面进 关重要 。化学腐蚀是器件制造工艺中常用的表 ［３］ 行观察，观测腐蚀坑的尺寸、形状并计数。使用 面处理方法之一 ，但在实际工艺过程中，部分 ＩｎＳｂ晶片在经特定腐蚀液腐蚀后表面会出现不同 ＧＴ－Ｘ８型光学轮廓仪对腐蚀后的晶片表面进行检 的特征腐蚀坑，这些腐蚀坑若位于器件光敏面上，则