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湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究pdf
第23卷 第2期 固体电子学研究与进展 V o l. 23,N o. 2
2003 年 5 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE M ay, 2003
Si( 111) 湿法腐蚀后表面形态的 FT IR 研究
1, 2, 3 1 2 3
李 静 吴孙桃 叶建辉 . .
S F Y L i
(1 厦门大学萨本栋微机电研究中心, 厦门, 361005) (2 新加坡国立大学材料与工程研究所, 新加坡, 119206)
(3 新加坡国立大学化学系, 新加坡, 119206)
收稿,收改稿
摘要: 运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术( ) , 研究了 ( 111) 在不同比例的
A TR FT IR Si N H 4F
HC l 溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子, 表明在较低的 PH 值的
( ) ( )
溶液中腐蚀的 111 表面粗糙度较大, 与通过扫描隧道显微镜 技术测量的结果基本一致。
N H 4 F HC l Si STM
( )
关键词: 偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱; 硅 111 表面; 扫描隧道显微镜
中图分类号: TN 304054 文献标识码:A 文章编号:(2003) 0214504
The FTIR Study on M orpholog ies of Si(111)
4 -
Surfaces Chem ically Prepared in NH F HCl Solution s
1, 2, 3 1 2 3
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