NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响.pdfVIP

NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜 各向异性磁电阻的影响 张 慧，王书运，高垣梅，王存涛 (山东师范大学 物理与电子科学学院，山东济南 250014) 摘 要：利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备 了Ta(4nm)N／iO(t)／Nis1Fe19(20nm)N／iO(t)／Ta(3nm)系 列坡莫合金薄膜样品，研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁 电阻和微结构的影响。利用四探针技术 测量薄膜样品的各向异性磁电阻比(AMR)，利用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构，用原子力显微镜(AFM) 分析样品的表面形貌。结果表明，由于NiO插层的镜“面反射”作用，选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高 坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20rim 的Ni81Fe19薄膜，当基片温度为450C时，通 过插入4nm厚的NiO插层可使AMR值达到 5．0lo／0’比无NiO插层时提高了40％。 关键词：坡莫合金薄膜；各向异性磁电阻；NiO插层；基片温度 中图分类号：0484．43 文献标识码：A 文章编号：1001—3830(2013)06-0001—04 EffectsofNiO layerandsubstratetemperatureontheanisotropy magnet0resistanceofultrathinpermalloyfilms ZHANGHui，WANG Shu—yun，GAOYuan-mei，WANGCun—tao CollegeofP sicsandElectronics,ShandongNormalUniversity,Jinan250014,China Abstract：AseriesofTa(4nm)／NiO(t)N／islFe,9(20nm)／NiO(t)／Ta(3nm)ultrathinfilmswerepreparedusingd~ect currentmagnetronsputteringsystem underappropriateconditions．InfluenceofNiO layerandsubstratetemperatureon AMR ofthesamplesareinvestigated．AMR valueofNis1Fe19filmsraemeasuredbyfour-ponitprobetechnology,hte phasecompositionwaschraacterizedbyX-raydiffiaction，na dsurfacetopographyofNislFel9filmsWas observedby AFM ．TheexperimentresultshowsthatNiO layerwiht appropriatehticknesscouldincreaseAMR greatlynad its magnetic sensitivity ofNiFefilmsdue to hte speculra reflection ofNiO layer．When sputtered at450℃．hte 2Ohm-htickn esspermalloyfiml swith4nm-htickn essNiO layehasAMR valueof5．01％．nicreasingby40％ htna htatof filmwihtoutNiO layer． Keywords：permalloyfilms； anisotropicmagnetoresistance； NiOlayer； substratetemperature 1引言 于坡莫合金薄膜还具有独特的角度敏感性特征，在 地磁导航、导弹定位、车用罗盘及无人机方位、姿 目前，在计算机硬盘读头方面，各向异性磁电 态的定位系统中具有广泛的应用前景。随着新型