反应磁控溅射Cu2 O薄膜的结构和电学性质.pdfVIP

第31卷第5期 闽江学院学报 Vo】．31No．5 2010年 9月 JOURNALOFMINJIANGUNIVERSITY Sep．2010 反应磁控溅射 Cu2O薄膜的结构和电学性质 肖荣辉 ，林丽梅 ，郑明志 ，彭福川 ，郑冬梅 (1．三明学院物理与机电工程系，福建 三明 365004；2．福建师范大学物理与光电信息科技学院，福建 福州 350007) 摘要：用x射线衍射仪检测薄膜的结构；用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率，采用拟合正入射透射谱数据的 方法计算薄膜的厚度；用VanderPauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率，并计算出电阻率和栽流子浓度．结果 表明，生成单相Cu20薄膜的氧气流量范围很小，在氧气流量为5—7sccm范围，薄膜主要成分为C％0，其中氧氩流 量比为6：25时，生成单相多晶结构的Cu2O薄膜，其表面电阻O．68Mr／口，电阻率58．29n．cm，霍尔迁移率4．73 cm ·V～ ·S～，载流子浓度3×10 cm～． 关键词：C~0；反应磁控溅射；结构；电学性质 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1009—7821(2010)05—0022—04 StructuralandelectricalpropertiesofCu2O filmsdepositedbyDC veactivemagnetronsputtering XIAO Rong—hui，LIN Li—mei，ZHENG Ming—zhi，PENG Fu—ehuan ，ZHENG Dong—mei (1．DepartmentofPhys~，MechanicalandElectricengineering，SanMingUniversity，Sanming，Fufian365004，China； 2．Schoolof andOptoElectronicsTechnology，FujianNormalUniversity，Fuzhou，Fufian350007，China) Abstract：Themicrostructure，surfacemorphologyandopticaltransmittanceofthefilmswereinvestigated byX—raydiffractometer，atomicforcemicroscopyanddouble—beam spectrophotometer，respectively．Th e electricalparametersweremeasuredbyvanderPauwmehtod．Th eresultsindicatedthatthemaineompo— nentisCu2Owhenoxygenflowsrateswerebetween5and7sccm．Whenhterateofoxygennadargonflow rateis6：25，htesingle—phasepolycrystallinestructureofCu2Ofilm hasbeendeposited．Thesurfacere— sistance，resistivity，hallmobilitynadcarrierconcenrtationofhteCu20filmare0．68MD／口，58．29Q． cm．4．73am。·V～ ·S一 and3×10 cm一 respectively． 。 Keywords：Cu2O；reactivemagne~onsputtering；structure；electricalproperties 氧化亚铜(Cu：0)是一种能被可见光激发、具有立方结构 J、直接带隙的P型半导体材料 ，其带隙约为 2．17eV 3【】 ． Cu0来源丰富、无毒，制备成本低廉 ．4J，在波长600啪 以下有高吸收的特性，具有