电工学下册电子技术课件作者林珊正文.ppt

1.1.1　本征半导体 用半导体材料制作半导体器件时，要高度提纯使之制成晶体，半导体一般都具有晶体结构，所以半导体也称为晶体，这就是晶体管名称的由来。这种完全纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体(Intrinsic Semiconductor)。 1.1.2　杂质半导体 N型半导体 2. P型半导体 1.正向特性2.反向特性 3.反向击穿特性 4.二极管的伏安特性方程 3.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM　晶体管的集电极电流IC超过一定值时，晶体管的β值将要下降，当β值下降到正常值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。(2)集-‥射极反向击穿电压U(BR)CEO　晶体管的基极开路时，加在集电极与发射极间的最大允许电压称为集-‥射极反向击穿电压U(BR)CEO，其值通常为几十伏至几百伏。(3)集电极最大允许耗散功率PCM　晶体管正常工作时，集电极的功率损耗PC=，PC的存在使集电结的温度(结温)升高。 【思考与练习】 1.5.1　晶闸管的导通条件是什么？关断条件是什么？ 1.5.2　晶闸管导通后，如果断开门极的触发信号，结果怎样？ 1.5.3　怎样用万用表判断晶闸管的好坏？晶闸管在使用时应注意 什么？ 1.静态工作点Q的设置 放大电路在未加入交流输入信号之前，或加入的输入信号为零(即ui=0)，而只接入直流电源VCC时，电路所处的工作状态称为静态(Static)。此时，电路中各处的电压、电流只有直流分量，称为静态值，用IB、UBE、IC、UCE等表示。这一组直流分量数值对应于晶体管输入、输出伏安特性曲线上一个确定的点，称该点为静态工作点(Quiescent Point)，用Q表示， 2.1.3　基本放大电路主要的动态性能指标 (1)电压放大倍数　电压放大倍数(Voltage Gain)又称为增益，是衡量放大电路对输入信号放大能力的主要指标。 (2)输入电阻ri　由信号源提供放大电路的输入信号，放大电路相当于信号源的负载。 (3)输出电阻ro　放大电路的输出信号要送给负载，放大电路相当于负载的信号源，可以用一个等效电压源来代替，这个等效电压源的内阻就是放大电路的输出电阻ro，它等于负载开路时从放大器的输出端看进去的等效电阻，如图2-‥8右侧所示。 例2-‥2　在图2-‥14a所示的基本共射放大电路中，已知VCC=12V,RB=300kΩ,RC=3kΩ,β=50,UBE=0.7V。试计算静态工作点Q(IBQ、ICQ、UCEQ),并求出下列三种情况下的Au 、Aus 、ri 和ro：(1)RS=0,RL=∞；(2)RS=0,RL=3kΩ；(3)RS=0.9kΩ,3kΩ。解：由图2-‥10a所示的直流通路，据式(2-‥6)、式(2-‥7)、式(2-‥8)可得(1)在RS=0、RL=∞时，R′L=RC∥RL=RC=3kΩ。(2)在RS=0、RL=3kΩ时，仍有Aus=Au。(3)在RS=0.9kΩ、RL=3kΩ时，由式(2-‥11)可得 Au=-βR′Lrbe=-βRC∥RLrbe=-50×3×33+30.9=-83.3 由式(2-‥13)可得 Aus=riri+RSAu=0.90.9+0.9Au=12Au=12×(-83.3)=-41.7 例2-‥3　在图2-‥15a所示的分压式偏置电路中，已知VCC=12V,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ，RE=2kΩ,RL=2kΩ，β=40。(1)试计算静态工作点Q(IBQ、ICQ、UCEQ)；(2)画出微变等效电路；(3)求电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro。解： 图2-‥15a所示的分压式偏置电路的直流通路如图2-‥15b所示。(1)由式(2-‥16)、式(2-‥18)可得 (2) 分压式偏置电路的微变等效电路如图所示。(3)由图2-‥16所示的微变等效电路可计算其交流参数如下: 【思考与练习】 2.3.1　分压式偏置电路稳定静态工作点的物理过程是怎样的？2.3.2　射极输出器能否放大电压？能否放大电流？为什么？2.3.3　试将共射极接法的固定式偏置电路、分压式偏置电路以及电压跟随器的直流通路、交流通路、微变等效电路以及静态分析、动态分析的计算式等列表进行对比。 【思考与练习】 2.7.1　差分放大电路在结构上有何特点?在图2-‥27所示差分放大电路中，采用了哪些抑制零点漂移的方法?2.7.2　在图2-‥27所示差分放大电路中，发射极公共电阻RE是否也影响对差模信号的放大作用，为什么?2.7.3　直流放大电路的输入级为什么采用差动放大电路? 3.2.3　负反馈对放大电路性能的影响 1.降低放大倍数 2.提高放大倍数的稳定性 3.减小非线性失真 4.拓展通频带 5.负反馈对输入电阻和输出电阻