光纤通信普通高等教育“十五”国家级规划教材课件作者顾畹仪第02章节.ppt

第二章 光源和光发射机 2.1 激光原理的基础知识 2.2 半导体激光器 2.3 半导体发光二极管 2.4 光源的调制原理 2.5 光发射机和外调制器 当前主要通信光源 半导体激光器（LD） 发光二极管（LED） 半导体器件的共同优点：体积小、重量轻、寿命长、功耗低、可集成和高可靠性 半导体激光器（LD）和发光二极管（LED）其它特性 ： ① 易择波：半导体光源的物理基础决定了只要选择合适的光电材料就可以制成适用于光纤中不同低损耗窗口的光源器件； ② 易辐射：容易获得足够高的输出光功率和足够窄的光谱宽度； ③ 易调制：改变注入电流就可以改变输出光强，能够直接进行强度调制； ④ 易耦合：发光面积可以与光纤芯径相比拟，从而具有较高的耦合效率 2.1 激光原理的基础知识 2.1.1 原子的能级和晶体中的能带 1．原子的能级 原子是由原子核和绕原子核旋转的核外电子组成 原子中的电子只能在一定的量子态中运动 轨道越高，能量也越高 当电子在每一个这样的轨道上运动时，原子具有确定的能量，称为原子的一个能级 2．晶体的能带 晶体的能谱在简并能级的基础上按共有化运动的不同而分裂成若干组 每组中能级彼此靠得很近，组成有一定宽度的带，称为能带 在晶体物理中，通常把这种形成共价键的价电子所占据的能带称为价带，而把价带上面邻近的空带（自由电子占据的能带）称为导带 2.1.1 原子的能级和晶体中的能带 原子中的电子可以通过和外界交换能量的方式发生量子跃迁，或称能级的跃迁。若跃迁过程中交换的能量是热运动的能量，称为热跃迁；若交换的能量是光能，则称为光跃迁。后者是研究光与物质相互作用的基础 如果高能级E2和低能级E1间满足辐射跃迁选择定则（波矢k守恒定则），那么E2和E1之间主要表现为光跃迁。对大量原子组成的体系来说，同时存在着光的自发辐射、受激辐射和受激吸收三种不同的基本过程 1．自发辐射 处在高能级E2上的电子按照一定的概率自发地跃迁到低能级E1上，并发射一个频率为?、能量为 的光子，该过程称为光的自发辐射过程。其特点如下： ? 处于高能级电子的自发行为，与是否存在外界激励作用无关； ? 由于自发辐射可以发生在一系列的能级之间（如共价晶体中导带向价带的自发辐射），因此材料的发射光谱范围很宽； ? 即使跃迁过程满足相同的能级差（光子频率一致），它们也是独立的、随机的辐射，产生的光子仅仅能量相同而彼此无关，各列光波可以有不同的相位与偏振方向，并且向空间各个角度传播，是一种非相干光 2．受激辐射 处于高能级E2的电子在外来光场的感应下（感应光子的能量h??=?E2???E1）发射一个和感应光子一模一样的光子，而跃迁到低能级E1，该过程称为光的受激辐射过程 受激辐射的特点如下 ? 感应光子的能量等于向下跃迁的能级之差 ? 受激辐射产生的光子与感应光子是全同光子，不仅频率相同，而且相位、偏振方向、传播方向都相同，因此它们是相干的 ? 受激辐射过程实质上是对外来入射光的放大过程 3．受激吸收 处在低能级E1上的电子在感应光场作用下（感应光子的能量h??=?E2???E1），吸收一个光子而跃迁到高能级E2，该过程称为光的受激吸收过程 受激吸收的特点如下： 受激吸收时需要消耗外来光能 受激吸收过程对应光子被吸收，生成电子—空穴对的光电转换过程 自发辐射、受激辐射和受激吸收过程这三种作用机理对应的器件分别是：发光二极管、半导体激光器和光电二极管 2.1.3 光增益区的形成 1．光的吸收和放大 （1）吸收状态 设媒质中低能级E1上的电子密度为N1，高能级E2上的电子密度为N2，当N2＜N1时，受激吸收过程占主导地位，光波经过媒质时强度按指数规律衰减，光波被吸收 （2）放大状态 若媒质中N2＞N1，则受激辐射占主导地位，光波经过媒质时强度按指数规律增大，光波被放大。 Eg＜hv＜e0V N2＞N1的情况是一种处于非热平衡状态下的反常情况，称之为粒子数反转分布，或布居反转，必须要有外界的泵浦才能实现 2．半导体激光器中增益区的形成 半导体激光器是一种PN结构成的二极管结构，通过注入正向电流进行泵浦，当注入电流达到一定的阈值后，在结区形成一个粒子数反转分布的区域，价带主要由空穴占据，而导带主要由电子占据。对于光子能量满足的光子有光放大作用，这个区域被称为有源区，半导体激光器的光激射就发生在这个区域 2.2 半导体激光器 2.2.1 基本原理 1．激射的一般条件 必须具备以下两个基本条件： ? 有源区里产生足够的粒子数反转分布 ? 存在光学谐振机制，并在有源区里建立起稳定