RF 功放设计和调试方法.ppt

谢谢！Motorola RF LDMOS技术支持请联络：千金花 ellenqian@李成进 r63289@ MOTOROLA and the Stylized M Logo are registered in the U.S. Patent Trademark Office. All other product or service names are the property of their respective owners. ? Motorola, Inc. 2002 Ellen Qian China RFD/NCSG/SPS MOTOROLA and the Stylized M Logo are registered in the U.S. Patent Trademark Office. All other product or service names are the property of their respective owners. ? Motorola, Inc. 2002 Motorola Confidential Proprietary FF_SMUG4, Rev 0 LDMOS功率放大器设计与调试 Ellen Qian 射频应用工程师 RFD/NCSG/SPS/Motorola 目录 HPA - High Power Amplifier大功率放大器 RF Power LDMOS FET 设计 仿真 制作 调试和测试 参考目录 HPA - High Power Amplifier 大功率放大器 应用于GSM/EDGE, PHS, TD-SCDMA, WCDMA和CDMA 基站 (直放站) 上 放大数字调制信号 # Make Spectral Re-growth (非线性性能) # 需要功放作些回退或者应用预失真、前馈等线性化技术以取得良好的 线性 # 需要考虑效率，散热以及成本 SCPA : Single Carrier Power Amplifier单载波功率放大器 MCPA : Multi Carrier Power Amplifier多载波功率放大器 为什么需要大功率放大器？ # 现代通信系统应用调制信号导致在射频信号端产生峰均比peak-to-average power ratio # 在系统间以及同系统相邻信道间要求有较低的Spectral Re-Growth # 基站发射系统的线性度通常很大部分由功率放大器的线性度决定 # 为了保证良好的通信质量，对功率放大器的噪声也提出了严格的要求 HPA - High Power Amplifier 大功率放大器 射频LDMOS功率放大器 LDMOS指Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor FET P+ Enhancement PHV P+ Sinker N+ NHV P- Epi Metal N+ Source Drain WSi/Poly Gate P+ Substrate LDMOS 竖切面 对设计工程师来讲，需要关注手册上的下列性能 Maximum Ratings 最大等级类参数 VDSS, VGS, PD, TJ Thermal Characteristics 温度特性 DC Parameters 电压及电流参数 VDS, VGS(Q), IDQ RF Parameters 射频参数 PEP, P1dB,Power Gain,IMD三阶互调,Efficiency效率, Input Return Loss输入回波损耗, Out Miss-match Stress, In/Out Impedance输入/输出阻抗等Typical Characteristic Performance主要射频特性 Package 封装 怎样读LDMOS器件手册 LDMOS使用时的一些注意事项 操作时注意事项 # 要在抗静电环境下操作，人身上的静电值有时甚至会超过10000伏 LDMOS 简单失效检测方法 # 测极间正向电阻法。 # Source-Gate connection is the same as Si PN Junction (+0.7V) # (+) Lead of Multi Meter connect to Source and (-) Lead to Gate # Source-Drain connection