ta掺杂锐钛矿相tio2的理论分析 theoretical analysis of ta doped anatase tio2.pdfVIP

第19卷第4期 V01．19No．4 2013年8月 祭 № 中∞国吣粉删 体Ⅲ 技M术酬№ 洲 Aug．2013 doi：10．3969／j．issn．1008-5548．2013．04．014 Ta掺杂锐钛矿相Ti02的理论分析 吴国浩a．b郑树凯““ (河北大学a电子信息工程学院；b．计算材料研究中心，河北保定071002) 摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法，对Ta 废气的光催化方面降解方面有着广泛的应用前景。因 掺杂锐钛矿相Ti02的电子结构和光学吸收性质进行计算。结果表明， 为纯锐钛矿相TiO：的禁带宽度较大(3．23eV)，只能 Ti02中掺杂’ra后，杂质能级与导带底混合，禁带宽度明显减小；杂质能 吸收占太阳光总能量4％的紫外光，严重制约了其广 级的引入和禁带宽度的减小使得Ta掺杂锐钛矿相Ti02光吸收在可见 光范围内出现明显吸收增强一 泛应用，所以锐钛矿相TiO：大规模应用的关键是如何 关键词：掺杂；锐钛矿；第一性原理 通过改性使其吸收光谱扩展至可见光范围。目前实现 中图分类号：TGl46．4 文献标志码：A 锐钛矿相TiO：可见光响应的改性方法，如，过渡金属 文章编号：1008—5548(2013)04—0054—05 元素或非金属元素掺杂、半导体复合、有机染料光敏 化等研究较多。由于过渡金属元素外层d电子与TiO： TheoreticalofTa Anatase AnalysisDoped 中O的2p和Ti的3d电子相互作用可以调节其能带 Ti02 结构，并引入杂质能级，因而近年来引起广泛关注1。 形UGtwha08·“．ZHENGShukaia·“ ofElectronicandInformational (a．College Engineering；b．Research 杂TiO：的吸收带边产生红移，并在可见光区有一定的 Centerfor Materials，Hebei 071002 Computational University，Baoding 吸收系数；Sc、Zn掺杂使TiO：的吸收带边产生蓝移， China) 但是在可见光区有较大的吸收系数；掺V不仅使TiO： forelectronicstructuresand of 的吸收带边产生红移，增强了在紫外光区的光吸收， Abstract：Computations opticalproperties Ta anatasewerecarriedout first wave doped Ti02 by principleplane 而且在可见光区有非常大的吸收系数。宫丽等1111对Ta ultra·soft methodbasedonthe functional pseudopotential density theory． Theresultsindicatethatthe levelsmixedwiththebottomof impurity 禁带宽度变窄，吸收边发生红移。TiO：与ZnO性质类 conduct