单层MoS2分子掺杂的第一性原理研究.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 11 (2014) 117101 单层MoS 分子掺杂的第一性原理研究 刘俊 梁培 舒海波 沈涛 邢凇 吴琼 (中国计量学院光学与电子科技学院, 杭州 310018) ( 2014 年1 月25 日收到; 2014 年2 月27 日收到修改稿) 基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算, 研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS 进 行化学掺杂. 计算结果表明有机分子与MoS 单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力. 吸附不同有 机分子的单层MoS 结构均表现出间接带隙的特征, 还表明吸附TTF 分子的单层MoS 结构表现出n 型半导 体的特质, 而吸附TCNQ, TCNE 两种分子的单层MoS 结构均表现出p 型半导体的性质, 这些结果表明可以 通过改变吸附的分子来实现对单层MoS 的掺杂类型的调控. 本文的研究结果将对单层MoS 在晶体管中的 应用提供理论基础和指导. 关键词: MoS , 密度泛函理论, 有机分子吸附, 分子掺杂 PACS: 71.15.Mb, 68.47.Pe, 61.72.U– DOI: 10.7498/aps.63.117101 作为一种电子性质优异的半导体材料, 单层MoS 11 1 引 言 在电子器件领域的研究一直受到了广泛的关注 . Cao 等研究了过渡金属V, Cr, Mn 掺杂单层MoS 近年来随着石墨烯13 等二维层状纳米材料 12 的电子结构、磁性和稳定性 . 在常规的半导体工 研究热潮的兴起, 一类新型的二维层状化合物—— 艺中, 一般采用掺杂的方式实现对半导体材料的p 类石墨烯二硫化钼引起了物理、化学、材料、电子等 型和n 型掺杂以最终实现p-n 结的制备, 构建最好 众多领域研究人员的广泛关注47 . 类石墨烯蜂窝 的电路逻辑单元. 但是在低维材料中, 尤其是二维 状二硫化钼单层结构是由六方晶系的单层二硫化 材料中, 常规的掺杂工艺会影响到载流子的输运效 钼组成的具有三明治夹心层状结构的准二维晶体 率, 还会在在一定程度上破坏半导体材料结构, 在 结构: 单层二硫化钼由三层原子层构成, 中间一层 掺杂缺陷位会产生载流子的散射. 因此, 寻求一种 为钼原子层, 上下两层均为硫原子层, 钼原子层被 两层硫原子层所夹形成类三明治结构, 钼原子与硫 新的有效的掺杂方式, 对于二维半导体纳米材料尤 原子以共价键结合形成二维原子晶体; 多层二硫化 为重要. 分子掺杂是一种利用表面吸附物中电子转 钼由若干单层二硫化钼组成, 一般不超过五层, 层 移, 实现对半导体进行掺杂的一种方式, 在半导体 间存在弱的范德华力, 层间距约为0.65 nm 8 . 单 纳米线13 , 石