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纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究.PDF
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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纳米球刻蚀法制备的二维有序的!# 纳米阵列
及其光学性质的研究!
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孙 萍 徐 岭 赵伟明 李 卫 徐 骏
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马忠元 吴良才 黄信凡 陈坤基
!)(南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京 #!$$% )
# )(上海微系统和技术信息研究所,上海 #$$$’$ )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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采用纳米球刻蚀( )技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球( , 小球)的单层膜为掩
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模,制备出二维有序的 纳米阵列 利用扫描电子显微镜( )对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度
9:8 ; 8=
计对样品光学性质进行了分析 结果表明:制备的二维 纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原
; 9:8
始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为 ,相对于体材料的 ,向短波长蓝移了 ,表现出 材料在
# ?$ 0@ # A# 0@ $ !) 0@ 9:8
纳米结构点阵中的量子尺寸效应; 纳米阵列在长波段透光性较好,短波段透光性几乎为零,表现出良好的光透
9:8
选择性;
关键词:纳米球刻蚀,二维9:8 纳米有序阵列
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种途径,即颗粒的自组织排列和刻蚀技术,前者只能
! 引 言 形成小尺度的规则排列,且无法实现颗粒间隔、周期
等参数的控制;而刻蚀法,原则上可以实现大尺度
当半导体材料的尺寸达到纳米量级时,将具有 (宏观尺寸)的规则排列,并能控制颗粒间距,但现
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