非制冷红外探测器读出电路的非均匀性研究.PDFVIP

非制冷红外探测器读出电路的非均匀性研究 袁红辉 陈永平 Non-uniformitystudyonreadoutcircuitforuncooledIRdetector YuanHong-Hui ChenYong-Ping 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,118503(2015) DOI: 10.7498/aps.64.118503 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.118503 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I11 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin 分数阶并联RL C 电路 Fractional-ordermultipleRL C circuit 物理学报.2014,63(3): 038401 /10.7498/aps.63.038401 荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究 Equivalentcircuitanalysismodelofcharge-controlledmemristor and its circuit characteristics 物理学报.2013,62(21): 218401 /10.7498/aps.62.218401 恒定温度应力加速实验失效机理一致性快速判别方法 Rapid identification of the consistency of failure mechanism for constant temperature stress accelerated testing 物理学报.2013,62(6): 068502 /10.7498/aps.62.068502 SOISONOSEEPROM 总剂量辐照阈值退化机理研究 ThresholdvoltagedegradationmechanismofSOISONOS EEPROM under total-dose irradiation 物理学报.2011,60(9): 098502 /10.7498/aps.60.098502 基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOSEEPROM抗总剂量辐照特性研究 TotaldosecharacteristicsofsinglepolyEEPROMandSONOS EEPROM on SOI 物理学报.2011,60(2): 028502 /10.7498/aps.60.028502 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 11 (2015) 118503 非制冷红外探测器读出电路的非均匀性研究 袁红辉 陈永平 (中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083) ( 2014 年10 月2 日收到; 2015 年1 月11 日收到修改稿) 对于长线列的非制冷红外探测器组件, 不同探测元之间的非均匀性是衡量电路设计的关键指标. 为了实 现长线列非制冷红外探测器的高性能读出, 本文设计了一种基于电流镜方式的非制冷红外探测器160 线列读 出电路, 电路由电流镜输入模块、电容负反馈互导放大器模块及相关双采样输出模块组成. 电路采用0.5 m 工艺制作完成. 通过合理设置电路中MOS 管的参数和布局电流镜版图, 电路的非均匀性有了明显地改善. 通 过测试, 电路的非均匀性小于1%, 器件总功耗约为100 mW, 并具有良好的低噪声特性, 输出噪声小于1 mV, 输出摆幅大于2 V. 该电路与160 线列非制冷红外探测器互连后, 能较好地完成红外信号的读出, 在积分时间 为20 s 的情况下, 器件的响应为0.294 mV/Ω, 整体性能良好. 该电路的研制对超长线列的非制冷红外冷探 测器读出电路研制奠定了重要的技术基础. 关键词: 电流镜方式, 非制冷探测器, 非均匀性, 读出电路 PACS: 85.40.–e, 84.30.Bv, 84.30.Jc DOI: 1