微小孔阵列垂直腔面发射激光器的研究.pdfVIP

敷 与 电字字进展 LaserOptoelectronicsProgress ~2010中国激光杂志社 doi：10．3788／lop47．051401 微小孔阵列垂直腔面发射激光器的研究 高建霞 宋国峰2 (河北理工大学信息学院，河北 唐山 063009； 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室，北京 100083) 摘要 在980nin波长的大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的基础上制备了高输出功率的微小孔阵列半导体激光 器，其最大输出光功率达到了1mW。介绍了针对微小孔阵垂直腔面发射激光器的特殊制备工艺，并对其特性进行 了分析。 关键词 激光器；近场光学；垂直腔面激光器；输出光功率；时域有限差分法 中图分类号 TN248．4 OCIS 140．2010250．7260 文献标识码 A StudyofSubwavelengthHoleArrayVertica1．-Cavity Surface--EmittingLaser GaoJianxia SongGuofeng f CollegeofInformationHebeiPolytechnicUniversity,Tangshan，Hebei063009，Chn／a 1 lNano—OptoelectronicsLaboratory，InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beijing100083，China) Abstract Subwavelengthholearrayvertical--cavitysurface--emittinglaser(VCSEL)isfabricatedbasedonhighpower 980 nm VCSEL．Thefar-field outputpowerreaches 1mW ．The specialfabrication processisintroduced and the characteristicofthedeviceisalsoanalyzed． Keywords laser；near--fieldoptics；vertical-,cavitysurface-emittinglaser；ouptutpower；finitedifferencetimedomain 1 引 言 1999年 s．Shinada等Il】首次在垂直腔面发射激光器(VCSEL)基础上制备了微小孔垂直腔面发射激光器 (NA．V．CSEL)。随后 J．Hashizume等 利用 NA．．VCSEL制成了高效近场光学探针以实现更高的分辨率。对 于光学存储，应该达到的功率密度为 10mW／l~m2，这个数字和 目前所能得到的最大功率密度还有一定差距。 随着表面等离子体亚波长光学研究的升温，人们提出了利用金属表面等离子体效应来提高器件的透射强度 [3-5] 。 T．W．Ebbesen等 发现在金属膜层上制作一系列亚波长量级的周期性孔阵后透射的光能量与总能量的 比值大于孔径本身面积与入射光总面积的比值，也就是说并非只有射向孔径部分的光发生了透射，一部分 本该被金属膜阻挡的光波也发生了透射，从而达到提高透射率的 目的。K．Goto等 充分利用VCSEL的特 点，尤其是其优越的光学特性发展NA．VCSEL及其阵列作为近场光存储光源，实现了多光束并行读写以达 到超高密度存储和超快速率数据传输的要求。 本文针对微小孔垂直腔面发射激光器已经进行了较深入的研 ，，为了进一步提高微小孔器件的输出光 功率，展开了对微小孔阵列半导体激光器的研究。介绍了在N面出光980ilia波长的大功率垂直腔面发射激 光器的基础上制备微小孔阵列垂直腔面发射激光器的制备工艺，并对其特性进行了分析研究。 收稿 日期：2009．12．21；收到修改稿 日期：2010．01—13 作者简介：高建霞(1979--)，女，博士，讲师，主要从事光学存储器件方面的研究。E—mail：gjx79@126．corn