2013年光电信息材料与技术研究所年述职报告.DOCVIP

  • 0
  • 0
  • 约6.84千字
  • 约 6页
  • 2017-11-26 发布于天津
  • 举报

2013年光电信息材料与技术研究所年述职报告.DOC

2013年光电信息材料与技术研究所年述职报告

2013年度光电信息材料与技术研究所年度述职报告 刘义 2014年1月2日 我于2013年元月开始任职光电信息材料与技术研究所(简称光电材料所)所长,在这一年来,光电材料所在学校及学院领导的领导下,在全体研究人员的共同努力下,在在研究所硬件建设(实验室、工作室、基础实验平台(制备、测试))和软件建设(研究队伍、研究方向、网站建设、课题申报)等方面取得了显著成绩。下面,就就这一年的工作向给领导老师们进行简要汇报。 一、硬件建设 1、实验室、工作室建设 在学院的支持下,完成232m2的实验室与工作室建设,其中实验室184m2,工作室48m2。现有工作室有9人(刘义、李海金、周文平、冀月霞、曹加锋、贾虎、王伟、陈红梅、高艳)一起办公。测试实验室48m2,高温处理室48m2,气氛合成室48m2,小型化学实验室40 m2。 在学院和学科规划处的支持下,完成高温处理室、气氛合成室和化学实验室的水电改造,完成工作室及进户门改造,花费学校改造经费约3万元。 2、科研基础平台建设 2010年在学院和学科规划处郑明东处长的支持下,投入50万进行光电信息材料与技术研究方向的建设。现已形成光电材料的高温制备、气氛处理、化学合成等基础制备科研平台。形成电性能与光学测试平台。 二、软件建设 1、网站建设 在本年度7月份开始光电材料所网站建设。完成校内固定域名()、IP地址、服务器的建设。但是,由于学校网络中心不能解决在校外能访问的问题,在韩玉峰老师的指导帮助下,完成校外可以访问的网站建设(/kyxk/sysjs/ gdxxclyjs.htm)。内容包括:研究所简介、研究队伍、科学研究、人才培养、学术交流、规章制度等。 2、研究队伍建设 光电材料所现有副教授3人,讲师9人,具有博士学位6人,硕士学位6人,本年度引进2位博士,1位硕士。副教授:刘义、李海金、李勇;博士学位人员:刘义、李海金、李勇、冀玥霞、陈红梅、周文平;硕士学位:曹加峰、汪文明、光明、张丽、高艳、孙云;本年度引入博士:冀玥霞、陈红梅,硕士:曹加峰。 3、研究方向 经过一年的优化整合现已经形成热电材料、光催化材料、发光材料三个主干方向。 热电材料的制备和研究??? ??? 新型钴基氧化物YCoO3体系制备与热电性能研究 ??? Sr替代化合物Y1-xSrxCoO3 (0(x(0.2)的电输运和热电性能研究 ??? 采用溶胶-凝胶方法合成Sr的替代化合物Y1-xSrxCoO3,研究了其20K至780K范围内的电输运和热电性能。结果显示,随着Sr替代含量的增加,Y1-xSrxCoO3的电阻率降低,这可能归功于晶格扭曲度的减小。热电势是正值,主要电荷载流子是空穴,且随着Sr 替代量的增加,热电势降低。此外,实验上获得了五倍大的功率因子,在650K最大值达到2.69′10-5W/mK2。这说明适量的Sr替代可以有效增强Y1-xSrxCoO3的热电性能。 ??? Ni替代化合物YCo1-xNixO3 (0(x(0.07)的电输运和热电性能研究 ??? 采用溶胶-凝胶方法合成Ni的替代化合物YCo1-xNixO3 (0(x(0.07),研究了其100K至780K温度区间的电输运和热电属性。研究结果显示,随着Ni的掺杂量的增加,直流电阻率降低。在温度T~304K(样品x=0)与~230K T~500K(样品x= 0.02, 0.05, 0.07)低温区间和高温区间(T~655K),样品YCo1-xNixO3的电阻率温度关系满足ln(∝1/T,获得激活能随着掺杂量的增加而降低。在极低温度范围(T~230K)样品YCo1-xNixO3 (x≥0.02)的电阻率温度关系满足模特定律,这来源于重掺杂引起的局域态。功率因子的计算显示,在300K至740K,YCo0.98Ni0.03O3的功率因子增加了6倍。 光催化复合材料的催化性能研究 太阳能光电转器件要求材料具有良好的光吸收、较低的电子-空穴复合率,电荷能有效快速传输。一维纳米材料具有较大的长径比、较高的比表面积,为电荷传输提供了直接通道,具有较高的迁移率。此外,一维纳米材料反射系数低,有利于光的吸收,一维纳米阵列被广泛应用于太阳能光电转器件中。WO3是一种广泛应用的光催化材料,但其不能有效吸收可见光。CdS的光学带隙为~2.4eV,对可见光有良好的吸收。因此,我们用两步化学气相沉积(CVD)成功制备了WO3/CdS核壳结构纳米线阵列。XRD、SEM、TEM、XPS等实验结果表明,CdS十分均匀一致的沉积在WO3纳米线表面,形成纳米异质结。相比于WO3纳米线,WO3/CdS纳米线的光谱吸收边从~440nm扩展到~550nm。WO3、WO3/CdS和CdS纳米线的可见光(λ≧420nm)光电灵敏度分别为8.7%、189.9%和17.4%。通过荧光衰减寿命谱可知,W

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档