紫外发光二极管.docVIP

绪论 在半导体产业的发展中，一般将Si、Ge称为第一代半导体材料，将GaAs、InP、 Gap、InAs及其合金称为第二代半导体材料。对于宽禁带半导体材料近十几年来发展十分迅速，已被称为第三代半导体材料，它主要包括Sic、ZnSe、GaN和ZnO等。同第一、二代相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小等特点，特别是利用其禁带宽度大的特点，可以制作蓝绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。ZnO很早就被研究过，但作为一种光电材料，直到19% 年的第23届半导体物理国际会议，汤子康教授等人一篇关于ZnO薄膜的光泵浦紫外发光的报道才引起学术界的广泛关注，从此人们认识到了ZnO薄膜材料在制备短波长发光器件的研究潜力，进而掀起了ZnO材料研究的热潮。 近年来，随着信息技术的飞速发展，以光电子和微电子为基础的通信和网络技术成为高新技术的核心。短波长发光和激光器件在绿色照明以及光存储、显示和激光打印等方面具有重要的应用价值．此时宽禁带半导体材料在短波长器件的制备引起了人们极大的兴趣。半导体发光器件具有体积小、寿命长、能耗少、以及可以集成，安全方便等特点，具有很大的应用优势，因此研制高效率的短波长半导体发光器件一直是世界各国研究人员努力的目标．最初短波长激光二极管的研究主要集中在ZnSe基半导体材料的研究，但由于ZnSe成键不牢固，在电场下工作时，缺陷会快速繁殖，以致器件很快失效，使得该种材料很难得到实际应用．后来人们又把目光转移到GaN基宽禁带半导体材料上来，用这类材料制备的短波长激光、发光二极管都已基本达到实用化的程度，且己投入生产。虽然如此，人们并没有停止对更新、更优异性能材料的寻找，而ZnO则以其一些独特的性能进入了人们的视线．ZnO材料无论是在晶格结构、晶格常数还是在禁带宽度上都与GaN很相似，对衬底没苛刻的要求而且很易成膜，被认为是很有前途的材料。 如今发光二极管使用得越来越普遍了，从最近得来的信息。紫外发光二极管配上荧光粉后，将紫外线转变为可见光，其发光效率可接近lOO lm／w，真可谓变幻莫测，前途无量。 1.1紫外发光二极管 早在1923年，德国学者O．W．Lossew将探针插在作检波器的碳化硅上，加上直流电压后发现了碳化硅的pn结型发光现象。但此后近四十年，对LED的研究一直处于停滞状态，直至1962年通用电气实验室的Holonyak N博士等采用GaAsP相外延生长技术制成了第一支实用化的红色LED，不久橙色和黄绿色也相继问世。 而现如今，二极管的发展早已突破了可见光的范围。日本物理学家研制出到目前为止波长最短的发光二极管(LED)。由厚木市NTT基础研究实验室Yoshitaka Taniyasu和同事一起研制的LED由氮化铝制成能发射出波长为210 RE 的远紫外光。该项究工作对发展极短波长发光装置非常重要，极短波长光可广泛应用于医药、光刻技术、污染水灭菌等各个领域。 在国内，南昌大学研制出了国内第一支紫外发光二极管。我国传统的紫外灯是采用汞蒸汽放电的方法以获得紫外光源。与其相比，紫外发光二极管发出的紫外光光子能量大，是一种新的半导体光电器件，符合环保要求。紫外发光二极管直径小于5毫米，寿命在10万小时，比紫外灯长100倍，具有单色性好、体积小、寿命长、响应速度快、可靠性高的特点。紫外发光二极管部分代替气体放电的紫外灯，就像半导体晶体管代替真空电子管一样意义深远。 1.2紫外发光二极管的用途 传统的发光二极管（LED）被广泛用于多种电子仪器和电子设备中。可作为电源指示灯、电平指示或微光源之用。另外，LED照明所独有的节能、环保、安全、长寿、高可靠等优点．使其成为公认的、符能环保的重要途径，令人充满期待。 而紫外发光二极管的发现和研究衍生了用紫光或紫外光激发三基色荧光粉或多种发光色的荧光粉，从而得到白光的途经。由于紫光，尤其是紫外光的能量比蓝光要高，制备出的白光LED光效可进一步提高．同时它的光谱范围更宽，显色指数可进一步增加，并可根据需要制备出不同色温或不同颜色的LED产品1）环境保护领域 由于光催化剂吸收波长主要在紫外波段，因此紫外光源技术与光催化氧化技术集成，可广泛应用予环保领域，如汽车尾气的处理，生活废水处理，饮用水高效净化等，市场前景广阔。日本丰田合成公司利用紫色发光二极管这一特性，制造出了空气净化器，并把这种空气净化器安装到汽车和住宅里，计划在近年内开拓规模为上千万美元的市场。 （2）国防科技领域 便携式的紫外激光诱导(UVLIF)生物体检测器，可实时检测空气中传播的病原体，在生化战争中至关重要，其关键部件就是高能、短波长的紫外光源。另一个军事上重要的应用是非线性可见(nonline—of—sight，NLOS)隐蔽战术通讯。此通讯技术有信噪比高，抗干