光伏太阳能产业链分析.ppt

第三章. 晶体太阳电池制造工艺 光伏产业链 一.硅材料制备工艺流程(西门子法) 硅太阳电池制造过程 硅片制备 1.由硅砂到冶金硅 将石英砂放在大型电弧炉中,用焦碳进行还原。 SiO2+2C Si+2CO 硅定期从炉中倒出,并用氧气或氧-氯 混合气体吹之以进一步提纯。然后倒入浅槽,逐渐凝固,便成冶金硅 (含硅97%-99%) 2.由冶金硅到三氯氢硅 将冶金硅破碎成粉末,与盐酸在液化床上进行反应,得到三氯氢硅(TCS)。 Si+3HCl SiHCl3+H2 3.由三氯氢硅到多晶硅 对三氯氢硅进行分馏,以达到超纯状态。 对超纯三氯氢硅用H2通过化学气相沉积(CVD)方法还原成多晶硅。 SiHCl3+H2 Si+3HCl 4. 多晶硅锭的制造 由西门子法得到的多晶硅棒,因未掺杂等原因,不能直接用来制造太阳电池。 将熔化的硅经过定向凝固后,即可获得掺杂均匀,晶粒较大,成纤维状的多晶硅铸锭。 由硅砂到太阳电池组件 5.单晶硅棒的制造 (1) 切克劳斯基(CZ)法 在单晶炉中将硅熔化,并将籽晶引向融熔的硅液,然后一边旋转,一边提拉,融熔的硅就在同一方向定向凝固,得到单晶硅棒。 掺杂可在熔化硅之前进行,利用许多杂质在硅凝固和熔化时的溶解度之差,使一些有害杂质浓集于底部,可以起到纯化作用。 切氏(CZ)法和区溶(FZ)法制单晶 (2) 区熔(FZ)法 用水冷的高频线圈环绕硅单晶棒,使硅棒内产生涡电流而自身加热,使硅棒局部熔化,出现浮区,及时缓慢移动高频线圈,同时硅棒旋转,使熔化的硅重新结晶。利用硅中杂质的分凝现象,提高了硅的纯度。反复移动高频线圈,可使得硅棒中段不断提纯。最后得到高纯的单晶硅棒。 5. 带状晶体硅的制造 定边喂膜(EFG)法 与直拉方法相似,在坩埚中使融熔的硅从能润湿硅的模具狭缝中通过而引出单晶硅带。 多晶硅片和硅带制备 6. 非晶硅膜的制造 利用化学气相沉积 (CVD)法或物理气相沉积 (PVD)法，可以得到非晶硅膜。 (CVD)法有: 热化学气相沉积法； 辉光放电法； 光化学气相沉积法。 (PVD)法有: 溅射法； 电子蒸发法。 二. 晶体硅电池片制造工艺 工艺流程 2. 硅片制备 选择硅片时，要考虑硅材料的导电类型、电阻率、晶向、位错、少子寿命等。将符合要求的圆形单晶硅棒切割成厚度为0.2-0.4mm的硅片，并切去四边成方形。 对于多晶硅锭先进行破锭，再按要求切片。 在经过切、磨、抛、及腐蚀等工序后，硅材料一般要损失60%左右。 3.表面清洗腐蚀 用有机溶剂(如甲苯等)初步去油，再用热硫酸作化学清洗，去除沾污的杂质。 在酸性或碱性腐蚀液中进行表面腐蚀，去除表面的切片机械损伤，每面大约腐蚀掉30-50 μm。 再用王水或其他其它清洗液进行化学清洗。 每道工序后都要用高纯的去离子水冲洗。 4. 扩散制结 是制造太阳电池的关键工序 方法有热扩散；离子注入；外延；激光或高频电注入等。 一般常用热扩散方法。 热扩散方法有: 涂布源扩散，又分简单涂布源扩散和二 氧化硅乳胶源涂布扩散； 液态源扩散； 固态源扩散。 5. 去背结 在高温扩散过程中，硅片的背面也形成了p-n结，所以要把背结去除。 常用的方法有化学腐蚀法；磨砂法和蒸鋁烧结法。 6. 制作上、下电极 上电极通常是栅线状，以收集光生电流。下电极布满在电池的背面，以减少电池的串联电阻。 制作方法有真空蒸镀、化学镀膜、鋁浆印刷烧结等。目前主要用鋁浆印刷烧结。 用涤纶薄膜制成所需电极图形的掩膜，贴在丝网上，然后套在硅片上用银、鋁浆印刷，再在真空和保护气氛中烧结。 用化学镀镍制备下电极。 7. 腐蚀周边 在扩散时,硅片的周边也形成扩散层,可能产生局部短路,使电池的并联电阻下降,影响电池性能。 可以将硅片的两边涂黑胶、粘贴耐酸胶带或挤压后放入腐蚀液中,不到1分钟,即可取出洗净。 目前常用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下去除含有扩散层的周边。 8. 制减反膜 硅表面反射损失率大约为1/3。为了减少这部分损失，可采用减反射膜。 减反射膜材料常用： SiO2、TiO2 、Ta2O5等。 制备方法常用：真空镀膜和离子镀膜法、溅射法、印刷法、喷涂法、PECVD沉积法。 9. 检测试验 检验太阳电池性能是否合格，主要测试：