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脉冲与数字电路 TTL集成门电路 * 东北石油大学 * 东北石油大学 第三章 门电路 门电路： 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 基本逻辑门电路： 与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门。 正逻辑： 1代表高电平、0代表低电平。 负逻辑： 0代表高电平、1代表低电平。 开关特性 互补开关 半导体二极管的开关特性： D截止 D导通 0 D1 D2 R GND VCC A B Y 二极管与门 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0.7 0 3 0.7 3 0 0.7 3 3 3.7 A B Y VIA VIB VO （+5V） 二极管或门 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 3 2.3 3 0 2.3 3 3 2.3 A B Y VIA VIB VO 半导体场效应管的开关特性 MOS管的结构： MOS(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 金属—氧化物—半导体场效应管 源极S(Source)、漏极D(Drain)、栅极G(Gate) N沟道增强型 N沟道增强型场效应管输入输出特性曲线 截止区 可变电阻区 恒流区 P沟道增强型 P沟道增强型场效应管输入输出特性曲线 MOS管的符号 MOS管的基本开关电路 截止 导通 VOH VOL VIL VIH 状态 Vo Vi CMOS反相器 TP导通 TN导通 VOH VOL VIL VIH 状态 Vo Vi (A) (Y) 其他类型的CMOS门电路 CMOS与非门 Y A B CMOS或非门 Y A B 带缓冲级的CMOS与非门电路 A B Y 带缓冲级的CMOS或非门电路 A B Y 漏极开路输出的与非门CC40107 线与逻辑接法 CMOS传输门的电路结构和逻辑符号 C′ C′ CMOS双向模拟开关的电路结构和符号 SW 三态输出的CMOS门电路 半导体三极管的开关特性： 双极型三极管的开关特性： 输入特性： VON开启电压 硅管VON 0.5~0.7V 锗管VON 0.2~0.3V 0 0 双极型三极管的基本开关电路 TTL反相器 推拉式电路 输入端悬空为高电平 TTL与非门电路