第一章_半导体中的电子态.ppt

半导体物理与器件 招瑜 联系电话 e-mail: yu-zhao@163.com 办公地址：工学三号馆311 教材选编自： 半导体物理部分： 刘恩科，朱秉升等《半导体物理学》，电子工业出版社 半导体器件部分： 皮埃罗(美)?《半导体器件基础》 电子工业出版社 参考书目： 1．田敬民，张声良《半导体物理学学习辅导与典型 题解》，电子工业出版社2005 2．Donald A. Neamen 著，赵毅强译，《半导体物理 与器件》，电子工业出版社，2005。 本课程在专业培养目标中的定位与课程目标 《半导体物理与器件》作为电子科学与技术专业的骨干课程之一，理论性和系统性较强，通过该课程的学习，使学生能较全面的掌握半导体物理的基础知识，基本概念，基本理论和基本方法，培养学生的逻辑思维和抽象思维能力，为学习后续的《微电子器件与集成电路工艺》和《集成电路设计基础》等其他专业课程的打下坚实的基础。同时学好这门课程对了解半导体行业未来的发展都是非常重要的。 三、考核方式 平时成绩占 20 %，（其中：作业占 15 %， 课堂纪律占 5% ） 考试成绩占80 % 半导体的特性 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 一. 晶格结构的基本概念 1. 三维立方晶格-简单立方 2. 三维立方晶格-体心立方 3. 三维立方晶格-面心立方 4. 晶面和晶向 二. 半导体的晶格结构 1.半导体材料的原子组成 2. 金 刚 石 晶 体 结 构和共价键 3. Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体结构 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 例题 考虑一种晶体结构为体心立方的单晶材料，其晶格常数a为0.5 nm, 求该晶体中的原子密度。单位(个/cm3)。 4.晶面与晶向 练习： 练习1 练习2 练习3 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 3、 Ⅲ-Ⅴ族和大部分Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体属于闪锌矿结构 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 闪锌矿和纤锌矿结构 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 1.2.3 半导体、导体、绝缘体的能带结构 1.2.4 能带形成的定量化关系 1.2.4 能带形成的定量化关系 1.2.4 能带形成的定量化关系 1.2.4 能带形成的定量化关系 1.2.4 能带形成的定量化关系 1.2.4 能带形成的定量化关系 自由空间，k连续的，动量连续，能量连续。 决定自由电子状态的是波矢 三个量子数， 可以取任意大小，任意方向，无限制，一个E值可对应于无穷多个 ，但是一个 只对应于一个E和一个Ψ。 1.2.4 能带形成的定量化关系 单电子近似： 晶体中某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场以及其它大量电子的平均势场中运动。该势场也为周期性的，且与晶格周期相同，即： 1.2.4 能带形成的定量化关系 薛定谔方程： 　　　　　　 布洛赫证明：满足上述方程的解具有如下形式 　　　　　　 方程（1）具有（2）形式的解，这一结论叫布洛赫 定理，函数Ψ (x)叫做布洛赫函数． 　 1.2.4 能带形成的定量化关系 不同点： １.自由电子振幅Ａ常数，固体中电子振幅 2. 自由电子： 常数，在空间各点出现的几率 相同→自由运动, 固体电子： 晶体中各点找到电子的几率也是周期性变化的，电子可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子在晶体内的共有化运动。 外层电子：共有化运动强→准自由电子 内层电子：共有化运动弱→紧束缚电子 1.2.4 能带形成的定量化关系 1.2.4 能带形成的定量化关系 关于能量E 自由电子