第2章 PSoC5 CPU及存储子系统.ppt

PSOC5存储器系统--非易失性锁存器结构及功能 非易失性锁存器是一个可编程的阵列，在低电压时，非易失性锁存存储器元素的输出是稳定的。 阵列中的每一位是由易失性的锁存和非易失性的单元构成。在上电复位后，将非易失性单元的输出加载到易失性的锁存中，易失性锁存驱动非易失锁存的输出。 PSOC5存储器系统--非易失性锁存器结构及功能 一次性写锁存器（Write Once Latch，WOL）是一种非易失性锁存器（NVL）。该单元本身是一个带附加逻辑包装器的NVL。每个WOL器件包含四个字节（32位）的数据。如果包裹器的绝大多数位（32位中的28位）与预定格式（0x50536F43）匹配，则它会输出“1”；如果达不绝大多数，则会输出‘0’。输出为‘1’时，一次性写非易失性锁存器会锁定未处于调试和测试模式的部件；此外，它还会永久禁用擦除或更改锁存器内容的功能。由于不需要匹配所有位，因此单个或者少数位不匹配不会把WOL的输出置为无效。晶圆处理后的NVL位的状态是完全随机的，不会趋向1或者0。 PSOC5存储器系统--非易失性锁存器结构及功能 只有将正确的32位密钥（0x50536F43）加载到NVL的易失性存储器中，变成到NVL的非易失性单元中，并将器件复位后，WOL才能锁定器件。仅在复位时，采样WOL的输出，并用于禁止访问。此措施能够防止任何人读、擦除或者更改内部存储器的内容。 仅当未设置Flash保护时，用户才可以将密钥写入到WOL中，从而禁止外部的访问。不过，在设置WOL中的值以后，用户在器件复位之前仍然可以对其进行访问。因此，用户可以将密钥写入到WOL中，设置闪存保护数据，然后将器件复位并将其锁定。 PSOC5存储器系统--非易失性锁存器结构及功能 如果器件受某种 WOL 设置的保护，赛普拉斯将无法执行故障分析，从而无法接受来自客户的 RMA。WOL 可通过串行线调试(Serial Wire Debug, SWD) 端口来读取，从而以电气方式识别受保护的部件。仅当未设置闪存保护时，用户才可以将密钥写入到WOL 中，从而禁止外部访问。 FLASH程序存储器结构及功能--概述 PSoC5的Flash存储器具有下面的特点： 以行为单位构成，每一行有256个数据字节，额外的32字节用于器件配置数据和大量的用户数据 ； 1块128/256行或者多块，每块256行； 存储CPU程序，大量或非易失性数据； 对于PSoC5结构：CY8C55系列，8，16或者32位的读访问模式； 有一个可编程的命令/状态寄存器接口。 提供四级Flash保护； FLASH程序存储器结构及功能--FLASH程序存储器的工作原理 PSoC内的Flash为固件、器件配置数据、海量数据存储、厂商配置数据和保护信息提供了非易失性的存储空间。 FLASH程序存储器结构及功能--FLASH程序存储器的工作原理 Flash存储器包含两个区域，即主区域和小的、可扩展的区域。所有的用户数据保存在主区域中，包括：设备配置数据。厂商配置数据和用户定义的保护数据保存在扩展的区域中，也称为Flash隐藏行。 对于每一行，保护位控制外部调试设备是否能读写Flash，以及是否能被启动引导代码重新编程。 CPU或者DMA控制器将通过高速缓存控制器读取Flash内所有的代码和海量数据。这样提供了更高的CPU性能。通过一个特殊的接口对Flash编程，防止在Flash外执行代码。在Flash编程期间，只要在高速缓存中包含代码，则在高速缓存外的代码执行可以继续。 FLASH程序存储器结构及功能--FLASH程序存储器的保护 Flash保护的目的是阻止访问或修改Flash的内容。在PSoC器件内的非易失性存储中，只有Flash有保护选项。PSoC5的结构为每行Flash提供了四种保护方式。对于每一个Flash阵列，Flash保护位保存在阵列中的隐藏行内。在隐藏行内，每行中的两个保护位封装到一个字节中，因此，隐藏行中的每个字节用于对4个Flash行设置保护。 FLASH程序存储器结构及功能--FLASH程序存储器的保护 如下图所示，Flash行中，隐藏行的最开始的两位的保护设置，对应于Flash低0行。 FLASH程序存储器结构及功能--FLASH程序存储器的保护 模式 保护设置 允许操作 不允许操作 00 未保护(Unprotected) 外部+内部读写操作 无 01 厂商更新(Factory Upgrade) 外部写+内部读写操作 外部读 10 域更新(Field Upgra