薄膜技术与材料-第一章.ppt

第一章 薄膜制备的真空技术基础 一. 真空的基本知识 1. 真空的定义：真空泛指压力低于一个 大气压的任何气态空间。 据气体状态方程： P = nkT 当 P =1.33х10-4 Pa(10-6Torr); T = 293K 时 n = 3.2х1010个/厘米3 2. 真空度的单位：真空度是气体稀薄程度的一种客观量度。 1) CGS 1达因/厘米2 = 1微巴 (microbar) mbar 2) MKS 1牛顿/米2 = 1帕斯卡 (Pascal) Pa 3) 汞柱高度 1/760 mmh = 1托 (Torr) 1 Torr = 133Pa 3. 基本参量 1) 碰撞频率Ф：在单位时间, 单位面积上 碰撞的气体分子数。 2) 平均自由程λ：气体分子之间相邻两次碰撞的距离。 4. 真空度的划分 粗真空：P 100 Pa 以气体分子相互碰撞为主 λD (容器尺度) 低真空： 10 2P10-1Pa λ ≈D 分子相互碰撞与器壁碰撞不相上下。 中真空： 10-1P10-2 Pa λD 以分子与器壁碰撞为主。 高真空： 10-2P10-4Pa λD 超高真空：P10-4 Pa λD 二. 真空的获得 2.1 真空泵性能的基本参数 1）抽气速率S：在泵的进口处，在任一给定压强下，单位时间内流入泵的气体体积数。 2）极限压强 Pn：泵对一个不漏气不放气的容器抽气，经过足够长的时间所能达到的最低平衡压强； 3）最大工作压强：泵能正常工作的最高压强； 4）运用范围：泵具有相当抽气能力时的压强范围。 2.2 气体的流动状态和真空的获得 2.2.1 气体的流动状态 Kn = D/λ Kn： 克努曾(Knudsen)数 Kn 1 分子流状态 Kn = 1~110 中间状态 Kn 110 粘滞流状态 2. 2. 2 气体管路的流导(C) 2. 2. 3 真空泵的有效抽速 S 管道入口处流入的流量： P S 管道出口处泵抽走的 抽除量： PpSp 管道中通过的流量为： Q = C(P-Pp) PS = PpSp = C(P-Pp) 2.2. 4 真空机组中泵抽速的配合 主泵的抽速：S1； 工作时主泵的进口压强：P1； 前置泵的抽速：S2； 前置泵的进口压强：P2； P1S1 = P2S2 S2 = P1S1/P2 ∵P2 P1, ∴ S2 S1 2.2.5 理想容器的抽空时间 泵抽气使容器压强在时间dt内，将由P变为 P-dP (dP0) 此时容器出口处抽走气体量 Q = PSdt 容器中原有气体量为 PV, 剩余气体量为（PV-Q） 2.3 真空泵简介 2.3.2 油扩散泵 2.3.3 涡轮分子泵 三．真空的测量 测量真空度的办法通常先在气体中引起一定的物理现象，然后测量这个过程中与气体压强有关的物理量，再设法确定出真空压强来。 3.1 热偶真空规管 测量原理：利用气体的热传导现象，以气体的熱导率随气体压强的变化为基础。 热丝的温度 ∞ 气体的压强 3.2 电离真空规管 测量原理：足够能量的电子,在气体中与分子碰撞时能引起分子的电离，产生正离子及电子。电子在一定的飞行路程中与分子的碰撞次数, 正比与分子的数密度(单位体积分子数). 产生的正离子数 ∞ 气体的压强 介绍第二种薄膜材料：DLC 膜 Ternary Phase Diagram of Bonding in Amorphous Carbon-Hydrogen Alloys 沉积DLC膜的装置简图(a，b) 沉积DLC膜的装置简图(c，d) 沉积DLC膜的装置简图(e，f) 试验参数 Raman spectra of the films deposited at ion energies (a) 200 eV, (b) 80 eV. XRD pattern of the film deposited at 80 eV ion energy (a) SEM image of the film deposited at 80 eV ion energy, and (b) an enlarged image. 左：热偶真空硅管；右：电离真空硅管 * * Va：算术平均速度 若温度和气体