三极管的特性.pptVIP

iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) UCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 ICEO 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)， iC不受iB控制。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线小结 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。此时，发射结和集电结均反向偏置 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距，说明iC主要受iB控制此时，发射结正偏，集电结反偏。 3、温度对特性曲线的影响 （1） 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 O T2 T1 （2）温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 八、晶体三极管的主要参数 1、电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 Q * 信号放大电路的分析与制作 35学时 第2章 模拟电子技术的实践 教学互动平台网：50:5481/ 三极管的型号、结构 三极管的特性 六　三极管的特性、识别 1、三极管的结构与型号 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 E C B E C B 第5课 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 目测判别三极管极性 E B C E C B E B C B E C E B C 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极：发射极（e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分别为：3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。 2、电流放大原理 （1） 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 （2） 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路: （3） 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC I C = ICN + ICBO IB IC I CBO I CN I BN IE （4）三极管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO 穿透电流 IE = IC + IB