三氯氢硅的合成 第二组.pptVIP

三氯氢硅的合成 汇报时间：2014、3、26 1 三氯氢硅的性质 2 三氯氢硅的合成原理 3 三氯氢硅的主要设备 4 三氯氢硅的工艺流程 目录 Content 5 6 7 三氯氢硅的主要技术指标 仿真过程中的问题及解决办法 三氯氢硅合成的影响因素 三氯氢硅的性质及用途 Properties and uses of chemical hydrogen silicon 三氯氢硅又称硅氯仿； 物理性质：爆炸极限：6.9～70%；毒性级别：3； 易燃性级别：4 化学性质：在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体，在空气中极易燃烧； 在高温条件下，三氯氢硅能被氢气还原生成硅? 用 途 多晶硅、单晶硅原料 硅油 化学气相淀积 硅酮化合物制造 三氯氢硅的合成原理 Chemical hydrogen synthesis principle of silicon 硅粉和氯化氢反应： Si?（s）+?3HCl（g）?→?SiHCl3?（g）+?H2（g）+Q 该反应为放热反应，为保持炉内温度在280-320℃的范围内，以提高产品质量，必须将反应热及时带出。 Si（s）+4HCl（g）→SiHCl3(g)+H2(g )+Q ＜280℃ Si（s）+2HCl（g）→SiH2Cl2（g）+Q ? 280℃～320℃ ≧350℃ 三氯氢硅的主要设备 一、 SiHCl3合成炉 合成炉主要由炉筒、扩大部分、循环水套、气体分布板（花板）和风帽、锥底构成 The main equipment for chemical hydrogen silicon 三氯氢硅的主要设备 二、布袋式过滤器和旋风分离器 The main equipment for chemical hydrogen silicon 三氯氢硅的主要设备 三、空气冷却器 The main equipment for chemical hydrogen silicon 侧梁 管束 横梁 百叶窗 管箱 构架 通风机 三氯氢硅的工艺流程 Chemical process flow of hydrogen silicon 硅粉 料池 电感加热干燥炉 硅粉计量罐 SiHCl3合成炉 合成HCl HCl储罐 HCl加热器 定量 水冷却系统 产品计量罐 干法除尘系统 湿法法除尘系统 废SiCl4去精馏系统 回收系统 回收HCl N2加热器 PID图 三氯氢硅合成的PID图 Chemical hydrogen silicon synthesis of PID diagram 三氯氢硅的主要技术指标 硅粉转化率 95% ≥98% ～83% ～17% Normal index of chemical hydrogen silicon 三氯氢硅收率 分凝产物组分： 三氯化硅含量 四氯化硅含量 99% HCl转化率 （1）、反应温度：温度↑， SiHCl3的合成量↓，副产物SiH2Cl2 的含量↑，温度控制在280～300℃较为合适 (2)、反应压力：压力↑，SiHCl3的合成量↓。应控制在0.3MPa左右 （3）、氧和水分：氧气和水分的含量↑， SiHCl3的合成量↓。 即水分含量为0.05 % （4）、氢气与氯化氢的配比：氯化氢气体通常用不参加反 应的氢气稀释，其稀释比为H2：HCl=1：3～5。 （5）、硅粉粒度：硅粉粒度↑， SiHCl3的合成量↓。即采用80 ～ 120 目的硅粉粒度 三氯氢硅合成的影响因素 The influence factors of chemical hydrogen silicon synthesis 三氯氢硅合成的事故及处理方法 1.系统发生堵塞 ：除尘器堵塞，可开动备用除尘器，对已堵塞的过滤器进行氮气反吹或拆开更换过滤布；气体分布板堵塞也可用氮气吹扫，如无效或其他部位堵塞时应停车检修。 2.系统发生漏气、跑料现象：跑料严重需立刻停车检修。此时应切断所有电路、打开门窗，以防室内气体浓度过大，导致着火、爆炸的危险。 3.料层压差突然变化：打开防空管，使顶压短时间内迅速减小有助于压力恢复正常。 Chemical