第一讲ARM简介.pptVIP

ARM7系列核介绍 1）ARM7TDMI组织结：ARM7TDMI重要的特性有 实现ARM体系结构版本4T，支持64位结果的乘法，半字、有符号字节存取； 支持Thumb指令集，可降低系统开销； 32×8 DSP 乘法器； 32位寻址空间- 4GB 线性地址空间； 它包含了EmbeddedICE模块以支持嵌入式系统调试； 调试硬件由JTAG测试访问端口访问，因此JTAG控制逻辑被认为是处理器核的一部分。 广泛的ARM 和第三方支持，并与 ARM9 Thumb 系列 ARM10 Thumb 系列和StrongARM处理器相兼容。 ARM7系列核介绍 2）ARM7TDMI硬件接口 按接口信号的功能划分为存储器接口、MMU接口、片上调试、JTAG边界扫描扩展以及时钟接口等十四类接口信号。各接口信号包括接口信号和接口控制信号 ARM7TDMI核的外围硬件接口信号图 ARM7系列核介绍 3）综合的ARM7TDMI-ARM7TDMI－S ARM7TDMI－S是ARM7TDMI的一个可综合的版本，它是以高级语言描述的“软”IP核，可以根据用户选择的目标工艺的单元库来进行逻辑综合和物理实现，它比“硬”的IP核更易于转移到新的工艺技术上实现。 综合出的整个核比“硬”核大50％，电源效率降低50％。同时ARM7TDMI－S在综合过程中存在支持关于处理器核功能的选项，这些选项会导致综合出处理器核较小而且的功能有所下降。 ARM7系列核介绍 4）ARM7TDMI应用 ARM7TDMI处理器核在存储器配置较简单的系统中广泛应用，最为成功的典型例子是手机、PDA，在此应用中，ARM7TDMI已成为用于控制和用户接口功能的事实上的标准处理器。当需要实现高性能时，具有简单存储器系统单纯的ARM7TDMI已不能满足，系统的复杂程度必然要增加。往往是在ARM7TDMI上增加Cache存储器、以ARM CPU核的形式增加软件从片外存储器读、写性能。 2.13.2ARM9系列核介绍 ARM8核是从1993年到1996年开发的，并开发了具有片上Cache及存储器管理单元高性能ARM CPU芯片以满足比ARM7的3级流水线更高性能的ARM核的需求。 ARM9TDMI将流水线的级数从ARM7TDMI的3级增加到5级，并使用分开的指令与数据存储器的Harvard体系结构。ARM9TDMI的性能在相同工艺条件下近似达到ARM7TDMI两倍 ARM9系列核介绍 1）ARM9TDMI技术特点 支持Thumb指令集； 含有EmbeddedICE模块支持片上调试； 通过采用5级流水线以增加最高时钟速率； 分开的指令与数据存储器端口以改善CPI，提高处理器性能。 ARM9系列核介绍 2）ARM9TDMI组织 ARM9内核采用了与后面要讲到的Strong ARM相同的5级流水线。ARM9TDMI与StrongARM核的主要区别在于StrongARM有一个与寄存器读出级并行操作的专用的转移加法器进行转移地址计算，而ARM9TDMI使用数据路径中的ALU来计算转移目标地址。 ARM9系列核介绍 3）ARM9TDMI的流水线操作 ARM9内核采用了与后面要讲到的Strong ARM相同的5级流水线。ARM9TDMI与StrongARM核的主要区别在于StrongARM有一个与寄存器读出级并行操作的专用的转移加法器进行转移地址计算，而ARM9TDMI使用数据路径中的ALU来计算转移目标地址。 ARM9系列核介绍 4）Thumb解码和存储器读写 5）协处理器支持 6）片上调试 7）低电压操作 8）ARM9TDMI应用 9）ARM9E-S及ARM946E-S和ARM966E-S 2.13.3 ARM10系列核 ARM10TDMI属于ARM处理器核中的高端处理器核，ARM10TDMI的性能在相同工艺条件下近似达到也以ARM9TDMI的两倍性能工作。ARM1020E/ARM10200是基于ARM10TDMI核设计的高性能CPU核。 增加最高时钟速率。 2.13.4 StrongARM和XScale系列核 1995年，ARM、Apple、DEC公司联合声明将开发一种应用于PDA的高性能、低功耗、基于ARM体系结构的StrongARM微处理器。 StrongARM主要特点有： 具有寄存器前推的5级流水线； 除64位乘法、多寄存器传送和存储器/寄存器交换指令外，其它所有普通指令均是单周期指令； 16KB、32路相联的指令Cache，每行32字节； 16KB、32路相联的写回式数据Cache，每行32字节； 分开的32数据项的指令和数据地址变换后备缓冲器； StrongARM和XScale系列核 8数据项的写缓冲器，每个数据项16个字节； 低功耗的伪静态操作。 S