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光电探测器概述 2.1 半导体的光电效应 2.2 光电探测器的噪声 2.3 光电探测器的性能参数 2.3 光探测器的特性参数 主要特性参数: 1.光电特性 2. 灵敏度与光谱特性 3.等效噪声功率和比探测率 4.响应时间与频率特性 1.光电特性 光电特性是指电学参量与光辐射参量之间的函数关系。 例如:I=f(Ф) I=f(E) 2.3 光探测器的特性参数 例1:P109 光电倍增管的 光电特性 线性度-重要性 2. 灵敏度与光谱特性 灵敏度是表征探测器将入射光信号转换成电信号能力的特性参数,又称为响应率。 2.3 光探测器的特性参数 2. 灵敏度与光谱特性 光谱灵敏度 : 例1:人眼 光谱灵敏度 例2:硅光电器件 光谱灵敏度 S 2.3 光探测器的特性参数 2. 灵敏度与光谱特性 灵敏度是表征探测器将入射光信号转换成电信号能力的特性参数,又称为响应率。 光谱灵敏度 : 积分灵敏度: 2.3 光探测器的特性参数 用单色光测量;一般为曲线。例:P139 图5-9 用标准光源测量;一般为具体数据。例:P130 表5-1 2. 灵敏度与光谱特性 SU(λ)或SI(λ)随波长λ的变化关系称为探测器的光谱特性(曲线)。 例:硅光电器件的 光谱特性 S 2.3 光探测器的特性参数 2. 灵敏度与光谱特性 峰值波长λp 截止波长λ0 光谱特性(曲线) 光谱响应 范围 例:P85 表3-2 2.3 光探测器的特性参数 2. 灵敏度与光谱特性 灵敏度与量子效率 光子探测器光谱特性曲线 峰值波长λp 截止波长λ0 2.3 光探测器的特性参数 3.噪声等效功率和比探测率 2.3 光探测器的特性参数 辐射通量 信号电流 噪声电流 3.噪声等效功率和比探测率 2.3 光探测器的特性参数 辐射通量 信号电流 噪声电流 当探测器输出的信号电流I (或电压U)等于探测器本身的噪声电流(或电压)均方根值时,入射到探测器上的信号辐射通量称为噪声等效功率(简称NEP) ≈ 3.噪声等效功率和比探测率 探测能力:探测器灵敏度 探测器噪声水平 2.3 光探测器的特性参数 方便测量 噪声等效功率 --又称为最小可探测功率 3.噪声等效功率和比探测率 愈大愈好--习惯 用单位带宽和单位面积的噪声电流来衡量探测器的探测能力 2.3 光探测器的特性参数 G归一化比探测率,除去带宽和探测器面积影响 4. 响应时间与频率特性 矩形光脉冲,响应出现上升沿和下降沿 正弦型调制光,响应率随频率升高而降低 2.3 光探测器的特性参数 τ-探测器响应时间 (时域) 上限截止频率 或3dB带宽 (频域) 本章小结:(要点,课后自行总结) 1. 光电效应:光电导效应、光伏效应和光电子发射效应·······。 光子探测器,光电转换规律 2. 光探测器噪声:散粒噪声、热噪声、产生-复合噪声、 电流噪声(1/f噪声) 、温度噪声、 3. 光探测器特性参数:光电特性、灵敏度、噪声等效功率、响应时间 光电流 光照下PN结的电流方程: 普通二极管电流 4)PN结光电效应 2. 光伏效应 思考题:PN结加正向偏压,如何影响光伏效应? 正向偏压: 4) PN结光电效应 结论:PN结加正向偏压,不利于结区光生电子、空穴对的分离,光电效应不明显。 4) PN结光电效应 总 结: 光生电动势 光生电流(光电流) 正反向偏压对光电效应的影响 光伏效应 光照下PN结的电流方程 4)PN结光电效应 PN结受到光照时,若入射光子能量大于材料禁带宽度,可在PN结的两端产生光生电势差,这种现象则称为光伏效应。 2.1 半导体的光电效应 1.光电导效应 2.光伏效应 3.光电发射效应 4.光电转换的基本规律 3.光电发射效应 金属或半导体受到光照时,电子从材料表面逸出这一现象称为光电发射效应。 --又称外光电效应。逸出物质表面的电子叫做光电子。 2.1 半导体的光电效应 3.光电发射效应 1)爱因斯坦定律 W-逸出功 截止波长 (长波限) --光电发射 --本征吸收 --杂质吸收 结论: 3.光电发射效应 --截止波长对比 波长增大 光电发射 杂质吸收 本征吸收 3.光电发射效应 2)金属逸出功和半导体的发射阈值 金属逸出功: 半导体发射阈值: 基本概
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