硅太阳能电池特性的实验研究.pdfVIP

第 26卷 第 6期 大 学 物 理 实 验 Vol_26NO．6 2013年 12月 PHYsICALEXPERIMENT0FCOLLEGE Dec．2013 文章编号：1007—2934(2013)06—0027—04 硅太阳能电池特性的实验研究 王志军，李守春，王连元，张金宝 (吉林大学，吉林 长春 130015) 摘 要：本文对硅太阳能电池中的单晶硅太阳能电池 、多晶硅太阳能电池 、非晶硅太阳能电池的伏 安特性、负载特性作了初步的分析和研究。对本科生的实验教学产生了较好的实验效果。 关 键 词：太阳能电池；多晶硅；伏安特性 中图分类号：O4-34 文献标志码 ：A 目前，能源问题已经成为世界各国经济发展 的光伏效应发电，太阳能电池的基本结构就是一 中亟待解决的问题。 《BPStatisticalReview of 个大面积平面P-N结，图1为P-N结示意图。 WorldEnergy2012》指出_1]：以目前的开采速度 P型半导体中有相当数量的空穴，几乎没有 计算 ，全球石油储量可供生产 54．2年，天然气和 自由电子。N型半导体中有相当数量的自由电 煤炭则分别可以供应 63．6年和 112年。随着一 子，几乎没有空穴。当两种半导体结合在一起形 次性能源危机的 日益来临，使人类对可再生能源 成P-N结时，N区的电子(带负电)向P区扩散，P 及清洁新能源的开发利用有了更大的需求。太阳 区的空穴(带正电)向N区扩散，在P_N结附近形 能因具有清洁、便利、取之不尽、用之不竭、免维护 成空间电荷区与势垒电场。势垒电场会使载流子 等优点，将成为21世纪最有希望的能源之一。据 向扩散的反方向作漂移运动，最终扩散与漂移达 估计，每年太阳提供给地球的能量为 3．2×1O孔J， 到平衡，使流过 P_N结的净电流为零。在空间电 大约相当于人类 目前消耗能量的 10000倍。如 荷区内，P区的空穴被来 自N区的电子复合，N 果以光电转换效率为 10 的光电器件覆盖0．1 区的电子被来 自P区的空穴复合，使该区内几乎 的地球表面，就足以满足 目前全人类的能源需 没有能导电的载流子，又称为结区或耗尽区。 要_2]。因此，利用太阳能发电的研究和应用，具有 当太阳能电池受光照射时，部分电子被激发 重大的社会和经济价值。太阳能电池主要是利用 而产生电子一空穴对，在结区激发的电子和空穴 半导体光电材料吸收光能转换为电能来进行发电 分别被势垒电场推向N区和P区，使N区有过量 的，根据所用材料的不同，可分为：硅太阳能电池、 的电子而带负电，P区有过量的空穴而带正电，P_ 多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰 电 N结两端形成电压，这就是光伏效应，若将 P_N 极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能 结两端接入外电路，就可向负载输出电能。 电池、塑料太阳能电池等__3]。其中硅太阳能电池 在一定的光照条件下，改变太阳能电池负载 是 目前发展最成熟、应用最广泛、效率最高的的太 电阻的大小，测量其输出电压与输出电流，得到输 阳能电池。硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电 出伏安特性，如图2实线所示。负载电阻为零时 池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能