微机原理与接口技术-5-1 存储系统.pptVIP

* VCC X S D T1 只读存储器 * 行地址译码器 A3 A2 A1 A0 X0 X1 X2 X3 Y0 Y1 Y2 Y3 输出 片选 VCC 4 3 1 列地址译码器 5 2 只读存储器阵列(16×1位ROM结构） 1 0 0 0 * 四管的动态存储电路是将六管静态存储元电路中的负载管T3，T4去掉而成的。 下面我们来看看它和六管静态存储元电路有什么区别：  　写操作:I/O与I/O加相反的电平，当T5,T6截止时，靠T1，T2管栅极电容的存储作用，在一定 时间内(如2ms)可保留所写入的信息。 　　读操作:先给出预充信号，使T9，T10管导通，位线D和D上的电容都达到电源电压。字选择线 使T5，T6管导通时，存储的信息通过A，B端向位线输出。 　　刷新操作:为防止存储的信息电荷泄漏而丢失信息，由外界按一定规律不断给栅极进行充电，补足 栅极的信息电荷。 * 单管动态存储元电路由一个管子T1和一个电容C构成。 　　写入：字选择线为“1”，T1管导通，写入信息由位线(数据线)存入电容C中； 　　读出：字选择线为“1”，存储在电容C上的电荷，通过T1输出到数据线上，通过读出放大器即可得 到存储信息。 * … X0 X1 存储单元阵列 存储单元阵列 存储单元阵列 X向地址译码器 X向驱动器 I/O 电 路 n位X向地址 DBUS … … Y0 Y1 Y向地址