二维光子晶体的负古斯-汉森位移.pdf

激兴与光电子学进展 LaserOptoelectronicsProgress ⑥2010 《中国激光》杂志社 二维光子晶体的负古斯一汉森位移 戴峭峰 (华南师范大学信息光 电子科技学院光子信息技术广东省教育厅重点实验室，广东 广州 510006) 摘要 利用传输矩阵法研究了高斯光束被二维光子晶体反射时所 出现的古斯一汉森(GH)位移。在反射带 内，对于完整的 光子晶体，反射时出现的古斯一汉森位移很小；当适当地改变表层空气柱的半径时，可以在反射带内获得数十倍于晶格常 数的负古斯一汉森位移 。对这种性质的研究将有助于提高光子晶体和其他微、纳米光学器件互连时的耦合效率。 关键词 集成光学；古斯一汉森位移 ；传输矩阵；光子 晶体 中图分类号 0734 OCIS 130．3120050．5298 文献标识码 A NegativeGoos--H ／inchenShiftsofTwo--DimensionalPhotonicCrystal DaiQiaofeng (LaboratoryofPhotonicInformationTechnology，Schoo1．rm厂ormarionandOptoelectronicScienceandEngineering， South ChinaNormalUniversity，G Ⅱ，tgzho~，Guangdong 510006，China) Abstract TheGOOS-Hfinchen (GH)shiftlsinvestigatedforaGaussianbeam reflectedbyatwo—dimensionalphotonic crystalusingthetransfermatrixmethod．W ithfrequenciesinstopband，theGH shiftissmallforaperfectphotonic crystal，whileitisseveraltimesoflatticeconstantforphotoniccrystalwithadjustedradiusofairholeinsurfaced layer．Thepropertyishelpfultoimprovethecouplingefficienciesbetweenphotoniccrystalsandothermicro-／nano— opticaldevices． Keywords integratedoptics；Goos—H／inchenshift；transfermatrixmethod；photoniccrystal 1 引 言 古斯 汉森 (GH)效应l1 自发现以来就引起了人们广泛的兴趣。K．Artmannl3认为光束可以理解成一 系列的平面波的叠加 ，这些平面波 的横 向波矢具有微小的差距 ，当光束在两种介质分界面附近发生全反射 时，具有不同横 向波矢的平面波会经历不同的相位改变，这些被反射 的具有不同相位改变的平面波再叠加在 一 起 ，就会引起光束在空间的横 向移动。最初 的GH 位移 出现在全反射 中，GH 位移 的尺度一般是波长量 级 。而最近预言，在一些特殊材料和结构上可以获得巨大的正或负的GH位移 ，这无论从测量还是从应 用来说都是非常有利的。这些特殊材料和结构包括左手材料 [5]、伴有表面等离子激发的金属_6]、光学薄膜 ] 和一些吸收媒质 等。 由于现代微加工工艺水平 的提高和加工成本的降低 ，微纳光子学成为现代光学的一个热点 ，在未来光集 成芯片中，光学器件的尺度将变得很小 。对于宏观尺度的光学器件而言 ，GH位移并不会产生太大影响。然 而当器件的几何尺度与波长接近时，由于GH位移的尺度为波长甚至几十个波长的量级，GH 位移将不可忽 略，光被光子晶体表面反射时的GH位移，将是一个有价值并且值得深入研究 的问题 。比如 ，当光子晶体被 作为反射器件时 ，由于 GH位移产生的错位 ，可能会使得反射光与输 出波导的耦合效率降低。而具有巨GH 位移的光子晶体 ，也被建议用来制作光开关 。然而，到 目前为止 ，与光