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n+-n高低结的电特性 （为什么高低结中存在势垒区？高低结的电学性能与一般p-n结的有何异同？n+-i高低结有何特殊性？）由相同导电型号、但掺杂浓度高低不同的两种半导体组成的体系，称为高低结，例如n+-n结。（1）高低结中的电荷、电场和势垒：在热平衡时，与常规的p-n结一样，高低结中也存在空间电荷、内建电场和势垒区。在图1中比较地示出了p-n结与n+-n高低结的空间电荷、内建电场和能带图；因为当两种半导体达到热平衡时，它们的EF能级要拉平，所以就会发生电荷的转移（实际上是电子从功函数较小的一边转移到功函数较大的一边去），从而产生出空间电荷和相应的内建电场。（2）n+-n高低结的特点和性能：由图1可见，n+-n高低结具有以下特点：①在界面处，高掺杂一侧出现正空间电荷，低掺杂一侧出现负空间电荷。②存在空间电荷，就会有内建电场和势垒，只是这里的势垒是阻挡高掺杂n+一边的多数载流子往低掺杂n一边的输运，因此正向电压的极性应该是n+接负、n接正，反向电压是n+接正、n接负。同时，势垒的高度和厚度也将随着外加电压而变化：正向电压使势垒高度降低、势垒厚度减薄；反向电压的作用恰相反。③因为高低结完全是借助于一种载流子的浓度差来扩散、并实现平衡的，因此所产生的空间电荷数量较少，也因而内建电场较弱、势垒高度较低（在非简并情况下，势垒高度Eg/2），从而势垒厚度也就较薄。④当外加正向电压时，势垒高度降低