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§1.3 晶体三极管 * §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和类型 NPN型 基区 发射区 集电区 发射结 集电结 发射极 基极 集电极 b e c 发射极箭头的方向 为电流的方向 b P N P 集电极 基极 发射极 c e PNP型 二、 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输出，放大的对象是变化量。 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。 共射放大电路 1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC IB IC IE 晶体管内部载流子的运动 晶体管的电流分配关系 IB IC IE 共射直流电流放大系数 晶体管的电流分配关系 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 通常认为： 晶体管的电流分配关系 IB IC IE IB IC IE 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 三、晶体管的共射特性曲线 2. 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 IC只与IB有关，IC=?IB。 三、晶体管的共射特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 2. 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 2. 输出特性 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 iC iB RB RC VCC vO vi + + - - 三极管工作状态 判断方法： ①当vBE ＜0.7V时，截止 ≥0.7V时，放大或饱和 *