量子阱中电子自旋注入及弛豫的飞秒光谱研究.PDFVIP

__________________________________________________________________________ 量子阱中电子自旋注入及弛豫的飞秒光谱研究∗ 林位株, 孙丰伟，邓莉，寿倩，刘鲁宁，文锦辉，赖天树 （中山大学光电材料与技术国家重点实验室/物理系 广州 510275 ） Email: stslwz@ 摘要 采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了 GaAs/AlGaAs 多量子阱中电子自旋的注入 和弛豫特性，测得电子自旋极化弛豫时间为 80±10ps 。说明了电子自旋-轨道耦合相互 作用引起局域磁场的随机化，是导致电子的自旋极化弛豫的主要机制。 关键词: 自旋电子学，半导体量子阱，飞秒激光光谱，自旋-轨道耦合 1. 引言 自旋是电子的一个量子特性，它反映了电子的磁学性质。随着金属巨磁阻效应和自旋三 极管的出现，凝聚态物质中的自旋输运现象越来越受到人们的重视。人们开始利用电子自旋 这一自由度代替电子的荷电性来制造新的电子器件，自旋电子学也应运而生[1-3] 。以铁磁金 属合金为材料的磁性随机存储器将在近年内问世[1] 。基于半导体的新的自旋电子器件由于其 优良的光学特性和对光电的放大功能而倍受人们的关注[2] 。其中自旋超快光开关和可编程的 全自旋微处理器的应用将导致一类集逻辑运算、存储和通讯于一身的多功能自旋电子器件的 产生。在自旋电子器件的研制过程中人们必须解决一系列问题：如何提高自旋极化的注入效 率，如何探测自旋极化的弛豫和电子自旋的寿命，自旋极化载流子在异质结界面间的如何传 播等。解决以上问题都依赖于对自旋弛豫时间的探测和对自旋弛豫机制的解释。本文采用飞 秒脉冲的饱和吸收光谱方法，研究了GaAs/AlGaAs 多量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性， 测量了电子自旋极化的弛豫速率，并对这一自旋弛豫的微观过程进行分析。 2. 用圆偏振光脉冲注入和检测电子 自旋态布居的原理 在半导体量子阱中用圆偏振光激发产生自旋极化电子的原理如图 1 所示。在GaAs等一类 1 1 1 1 3 3 − 半导体量子阱中导带是二重简并态 , 和 , ，价带分裂为重空穴态 , ， 2 2 2 2 2 2 3 3 3 1 3 1 − − − , 和轻空穴 , ， , 。以左旋圆偏振光 （记为σ ）激发为例，由宇称守恒 2 2 2 2 2 2 ∗ .本文工作受下列基金项目资助：国家自然科学基金项目60178020, 1 中国科技论文在线_________________________________________________________________________ 和 光 子 具 有 一 个 单 位 的 角 动 量 的 规 律 ( ∆m −1 ) 可 知 允 许 的 跃 迁 为 ： j 3 3 − 1 1 3 1 − 1 1 σ σ , , ,