常用半导体 精华版.ppt

模拟电子技术;第一章常用半导体器件;第一章 常用半导体器件;§ 1.1 半导体基础知识;1、本征半导体;共价键;半导体中有两种载流子:自由电子和空穴;在外电场作用下，电子的定向移动形成电流;在外电场作用下，空穴的定向移动形成电流;1.本征半导体中载流子为电子和空穴（金属呢？） 2.电子和空穴成对出现,浓度相等。 3.由于热激发可产生电子和空穴,因此半导 体的导电性和温度有关,对温度很敏感。;2 杂质半导体;2 杂质半导体;3 PN结;3.1 PN结的形成;3.1 PN结的形成;3.1 PN结的形成;1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; 2.内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移; 3.当扩散电流等于漂移电流时，达到动态 平衡，形成PN结。;3.2 PN结的单向导电性; ;2) PN结外加反向电压时处于截止状态;3.3 PN结的伏安特性(小结);3.4 PN 结的电容效应;§ 1.2 半导体二极管;将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。; 二极管的伏安特性及电流方程; 二极管的伏安特性----单向导电性！; 二极管的等效电路;2）微变等效电路; 二极管的主要参数;3. 反向电流 IR ; 二极管的典型应用;应用二：画出二极管电路的输出波形（设UD=0.7V） 。;稳压二极管;应用三：;特殊二极管;2. 发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN结构成,当发光二极管正偏时，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。;§1.3 晶体三极管;小功率管;二、晶体管的电流放大原理; 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。;IB;三极管具有电流放大作用的条件：;三、晶体管的共射特性曲线;1. 输入特性;2. 输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;iC;iC;0.7V;【例2】现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如下，各晶体管开启电压均为0.5V。试判断各管的工作状态。;五、温度对晶体管特性的影响;六、主要参数; 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。;Ugs作用于整个沟道;漏-源电压Uds对漏极电流的影响：;g-s电压控制d-s的等效电阻;夹断电压;2　绝缘栅型场效应管;2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管;工作原理分析：;P;P;P;P;D;3. 特性曲线;N;2.2 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;　场效应管的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;场效应管总结：;场效应管总结：; 场效应管与晶体管的比较;本 章 结 束