模拟电路03 半导体二极管及其基本电路.pptVIP

主要概念和基本方法： 载流子 自由电子 空穴 N型半导体 P型半导体 扩散运动 漂移运动 静态 动态 图形分析方法 模型分析方法 教学基本要求： 了解半导体材料的基本结构及其PN结的形成 掌握PN结的特性 掌握二极管（包括稳压管）的V-I特性及其基本应用 通常，正向压降测量值（数字万用表） 发光（1.8V）稳压（0.9V） 硅（0.7V） 锗=肖特基（0.2V） 复习提问 1、选择题 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为V，则二极管的电流方程是 。 A. ISeV B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案：（1）A （2）C （3）C 2、填空题 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 五价、三价、增大 （3）二极管折线模型 rD 求法（ ）。 （4）二极管交流小信号模型 rd 求法（ ）。 VREF为3V时的输出波形 VREF为1V时的输出波形 VREF为6V时的输出波形 反向限幅输出波形 二极管反向时的输出波形 双向限幅输出波形 2．模型分析法应用举例 （4）开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 导通 导通 4.3 导通 截止 4.3 导通 截止 4.3 导通 导通 －0.7 例 题 分析下图所示电路中二极管的工作状态(导通或截止)，确定V0的值，设二极管正向压降为0.7V。 10kΩ VA VB D1 D2 ＋ － VO 0 0 0 0 5 5 5 5 VA／V VB／V D1 D2 VO／V P68，作业: 3.2.1, 3.2.2, 3.2.3 下次课内容:半导体二极管、基本电路与分析方法； 　　　　　特殊二极管（稳压二极管） 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的参数 物电系低频电子线路多媒体课件 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 物电系低频电子线路多媒体课件 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 物电系低频电子线路多媒体课件 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 物电系低频电子线路多媒体课件 3.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容Cd=CB+CD 物电系低频电子线路多媒体课件 当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。Trr直接影响二极管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，Trr越小管子升温越小，效率越高。 (6) 反向恢复时间Trr PIN开关二极管， Rf=7Ω(10mA) UMD2（1712） 0.9 - - 50 - RN771V 肖特基检波二极管 DO-35 2 1ns 0.65 40 0.2 1N60 高速开关二极管 DO-35 4 4ns 1.2 75 0.2 1N4148 DO-214 AA 0.5 40 2 SS24 DO-214 AC 0.5 40 1 SS14 DO-201AD 0