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微电子器件测试实验 实验目的和意义 微电子技术: 模型模拟技术 设计技术 工艺技术 测试技术 实验内容: ☺MOS 电容的C-V特性测试 ☺MOSFET 的I-V特性测试 ☺芯片解剖 ☺MOSFET模型参数的提取 实验一、MOS 电容的C-V特性测试 MOS 电容是最简单的MOS结构，也是所有MOS器件的核 心。 MOS 电容是研究硅表面性质非常有用的工具，它 得出的结果可直接用于MOS 晶体管。 C-V测量常用于定期监控集成电路制造工艺。 通过测量MOS 电容高频和低频时的C-V 曲线，可以得 到栅氧化层厚度t 、氧化层电荷和界面态密度D 、平 ox it 带电压Vfb 、硅衬底中的掺杂浓度等参数。 实验原理 MOS 电容如图1所示，它类似于 金属和介质形成的平板电容器。 但是，由于半导体中的电荷密 度比金属中的小得多，所以充 电电荷在半导体表面形式的空 间电荷区有一定的厚度（~微米 量级），而不象金属中那样， 只集中在一薄层中（~0.1nm ） 内。半导体表面空间电荷区的 厚度随偏压VG而变化，所以 MOS 电容是微分电容。 随着栅压的不同， MOS 电容将处于 不同的工作区： 积累区、耗尽区 和反型区 。 实验内容 1． 掌握MOS电容的C-V特性测试原理 和测试方法 2． 学习Keithley Model 82-WIN 同步C- V测量仪的使用方法 学习Model 82-WIN 同步C-V库的使用， 并利用它提取界面陷阱电荷密度、可动 离子浓度、掺杂浓度分布、平带电容、 电压等 实验仪器 1. 手动探针台 2. Keithley Model 82-WIN 同步C-V测试仪 Keithley 595 Quasistatic CV Meter (595准 静态 CV仪) Keithley 590 CV Analyzer (590 CV分析仪) Keithley 230 Programmable Voltage Source (230可编程电压源) 3. Metrics ICS 1. 手动探针台 Keithley Model 82- WIN 同步 C-V测试仪 测试 软件 测试步骤 第一步 漏电流和杂散电容修正 第二步 导线效应修正 第三步 配置测量系统 第四步 进行C-V测量 第五步 分析C-V数据 配置测量系统 点击菜单行的Instruments按钮，出 来一个下拉式菜单。 点击其中的GPIB按钮，会出现一个对 话框 分析C-V数据 9.00E-011 8.00E-011 7.00E-011 6.00E-011 ) CH F ( Cg 5.00E-011 CQ 4.00E-011 3.00E-011 2.0