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高压功率VDMOS元胞的研制干红林，冯全源，王丹（西南交通大学微电子研究所，四川成都610031）摘要:基于SentaurusTCAD仿真软件，在外延层参数与生产工艺确定的情况下，通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻，并通过对版图元胞面积的准确计算，设计了三款导通电阻目标值为2.4，3.0和3.3?的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示，导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%，表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。关键词:功率器件；垂直双扩散场效应管；元胞设计；导通电阻；版图；流片doi:10.14106/ki.1001-2028.2015.02.012中图分类号:TN386文献标识码:A文章编号:1001-2028（2015）02-0047-03DevelopmentofthecellofhighvoltagepowerVDMOSGANHonglin,FENGQuanyuan,WANGDan(InstituteofMicroelectronics,SouthwestJiaotongUniversity,Chengdu610031,China)Abstract:BasedonSentaurusTCADsimulationsoftware,underthesituationofcertainedepitaxiallayerparametersandproductionprocess,thespecificon-resistance(Ron,sp)wasoptimizedbythewayofmodulatingthepolysiliconlengthofthecell.Andaccordingtoprecisecalculationsaboutthecellareaoflayout,threehighvoltagepowerVDMOSchipswithdifferentRontargetvalues:2.4,3.0and3.3?,weredesigned.Thetape-outresultsshowthattheaverageRonvaluesfitthelayoutcalculationvaluesmorethan96%,whichperformsthatdesignmethods,simulationparametersandthelayoutdesignpossesshighreliability.Keywords:powerdevice;VDMOS;celldesign;on-resistance;layout;tape-out功率MOS（metal-oxidesemiconductor）场效应晶体管是近年来功率器件领域发展速度相当快的一种新型器件。垂直双扩散MOS管（VDMOS）作为功率MOS的重要一员，由于其输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、电压控制、热稳定性好等特点[1-2]，有广阔的市场应用范围，包括近几年热门的车用电子、光伏照明等市场。为了减小器件功耗，设计高压功率VDMOS时，需要尽量减小其导通电阻。由于器件是由许多个元胞并联组成，如果想要减小芯片面积、节约生产成本，就需要尽量减小单位面积的元胞的导通电阻。单位面积导通电阻常用特征导通电阻Ron来表示。笔者在外延参数和工艺条件确定的情况下，通过调整多晶硅长度优化特征导通电阻，设计三种不同阻值的高压功率VDMOS芯片。经过对版图中元胞面积的重新计算，确定了芯片的导通电阻。并通过实际流片，验证了理论仿真与版图设计的可靠性。本文在对元胞区域面积进行估算后，重新测量并又准确计算实际值的方法尚未见其他文献提到。设计理论设计见图1[3-4]，导通电阻包括源漏极接触电阻1+RCONT、源极电阻RN、沟道电阻RCH、积累层电阻RA、JFET（结型场效应管）区电阻RJFET、外延层电阻Repi、衬底电阻Rsub、金属电阻以及封装电阻等。收稿日期：2014-12-08通讯作者：冯全源基金项目：国家自然科学基金资助项目（No；国家高技术研究发展计划（863计划）重大项目资助（No.2012AA012305）作者简介：冯全源（1963－），男，江西景德镇人，教授，博士，主要从事数字、模拟及射频集成电路设计，E-mail:gan_hl@163.com；干红林（1989－），女，四川成都人，研究生，主要从事大功率器件的研究与设计，E-mail:gan_hl@163.com；王丹（1960－），男，广西柳州人，副教授，博士，主要从事可编程集成电路应用、集成电路设计，E-mail:gan_hl@163.com。网络出版时间：2015-01-2712:46网络出版地址：/kcms/detail/51.1241.TN1246.0