半导体制造工艺基础-施敏-第6章扩散.pptVIP

第6章 扩散 ■ 概述 ■ 扩散工艺 ■ 扩散方程 ■ 扩散分布 ■扩散工艺质量检测 ■ 在lC制造中主要采用扩散法和离子注入法。 ■ 高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子注入法。 一、概述 1、掺杂和扩散 1）掺杂 ( Doping) 用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体 材料中，达到改变材料的电学性质、形成半导体器件结构的 目的，称之为“ 掺杂 。 2）掺杂的方法 合金法、扩散法、离子注入法。 3）常用的掺杂杂质 P (磷)、B(硼)、 As(砷)、Sb(锑) 3）形成场效应晶体管中的漏区和源区 扩散工艺在IC制造中的主要用途： 1）形成硅中的扩散层电阻 2）形成双极型晶体管的基区和发射区 1）扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度； 即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。 2）扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅 衬底中，并使其具有特定的浓度分布。 3）研究杂质在硅中的扩散运动规律的目的： 二、扩散工艺 ■ 开发合适的扩散工艺，预测和控制杂质浓度分布。 ■ 研究IC制造过程中其他工艺步骤引入的扩散过程 对杂质分布和器件电特性的影响。 (1) 气态源： AsH3，PH3，B2H6 (2) 固态源： 1、目前的扩散工艺已基本被离子注入取代，只有在进行重掺 杂时还用扩散工艺进行。 2、 扩散工艺的分类主要取决于杂质源的形态，常见的杂质源 形态包括： 单磷酸铵 (NH4H2PO4) 砷酸铝 (AlAsO4) 硼源：BBr3(沸点90℃) 磷源：POCl3(沸点107℃) (3) 液态源 ■ 防止引入污染 ■ 工艺参数控制：温度分布、气流量和排片方式、片间距等 ■ 工艺控制手段：前馈方式(试片)、使用假片 3、扩散设备类似于氧化炉管。 4、扩散工艺的控制要点： (2) 填隙式扩散 两种基本扩散机制： (1) 替代式扩散 三、扩散方程 （一）费克一维扩散方程 描述扩散运动的基本方程——费克第一定律 其中，C是杂质浓度，D是扩散率(扩散系数)，F是杂质净流量 根据物质守恒定律，杂质浓度随时间的变化率与扩散流量的减小相等，即： 上式被称为费克扩散方程 代入式3，得到费克第二定律 假设D与位置无关，可简化为： ■ 硅中杂质的扩散率曲线(低浓度本征扩散)： ■ 替代式扩散需要的激活能比填隙式的大 ■ 扩散系数： 其中，Ea为激活能； D0是一个与温度无关的系数，取决于晶格结构和振动频率。(cm2/s) “固溶度”：平衡态下杂质可溶于半导体材料的最高浓度，与温度有关。 四、扩散分布 在任何大于零的时刻，表面的杂质浓度固定 此时扩散方程的解为： Cs是固定的表面杂质浓度(/cm3) 恒定表面源(浓度)扩散又被称为预淀积扩散；在实际工艺中，Cs的值一般都是杂质在硅中的固溶度。 被称为特征扩散长度； 1） 第一种边界条件：(恒定源扩散) 由 (1) 掺入硅中的杂质总量(剂量，/cm2)随扩散时间变化： 假设衬底杂质浓度为CB，扩散杂质与衬底杂质反型 讨论 恒定源扩散 (2) 计算扩散形成的PN结结深： 这是一个中心在x=0处的高斯分布 2）第二种边界条件： (有限源扩散) 此时扩散方程的解为： 扩散过程中初始的杂质总量S是固定的 由 (1) 硅表面的杂质浓度(/cm3)随扩散时间延长而降低： 如果衬底杂质浓度为CB，扩散杂质与衬底杂质反型， 讨论 有限源扩散 (2) 计算扩散形成的PN结结深： 第二步：主扩散 3）实际扩散工艺 (1) 先进行恒定表面源的预淀积扩散(温度低，时间短)， 扩散很浅，目的是控制进入硅片的杂质总量； (2) 以预扩散杂质分布作为掺杂源再进行有限表面源的再分布扩散，又称主扩散，通过控制扩散温度和时间以获得预期的 表面浓度和结深（分布）。 为获得足够浅的预淀积分布，也可改用离子注入方法取代预扩散步骤。 第一步：预淀积扩散 “恒定源”+“有限源”的两步扩散法 2、主要的检测项目： 五、扩散工艺质量检测 获取作为深度和横向位置函数的杂质浓度(杂质分布) 1、目的： ■ 扩散工艺是重要的掺杂技术之一，扩散过程决定了杂 质在硅中的浓度和分布 ■ 一维扩散的费克定律是理解杂质在半导体中扩散过程的 重要理论 ■ 常用的扩散方法：恒定源扩散+有限源扩散的两步扩散 法(用公式计算扩散后杂质分布和结深) ■ 扩散工艺的质量检测 小结：