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模拟电子线路基础学习技巧的探究 摘要：《模拟电子》课程是一门应用技术课程，具有较强的理论性和实践性。作为一门技术基础课，模拟电子技术既不同于专业课——本课程强调基本概念、基本原理和基本分析方法，为将来在工作中应用电子技术解决实际问题打下牢固的基础；又不同于某些基础理论课——本课程的内容更接近工程实际。这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法，所不同的是，新增加了不少复杂的电气元器件三极管。在学习电子电路的工作原理时要紧紧抓住基本概念和基本分析方法；在分析和计算时又常常需要从实际情况出发，抓住主要矛盾，忽略次要矛盾对《模拟电子》课程的方法、手段。关键词：模拟电子自主学习本征半导体及其特点纯净的半导体称为本征半导体。在热“激发”条件下，本征半导体中的电子和空穴是成对产生的；当电子和空穴相遇“复合”时，也成对消失；电子和空穴都是载流子；温度越高，“电子—空穴”对越多；在室温下，“电子—空穴”对少，故电阻率大掺杂半导体及其特点N 型半导体：在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成 N 型半导体， N 型半导体中电子为多子，空穴为少子；电子的数目（掺杂 + 热激发） = 空穴的数目（热激发） + 正粒子数；半导体对外仍呈电中性。P 型半导体：在本征硅或锗中掺入适量三价元素，形成 P 型半导体，其空穴为多子，电子为少子；空穴的数目（掺杂 + 热激发） = 电子的数目（热激发） + 负粒子数；对外呈电中性。当型半导体中再掺入更高密度的三价杂质元素，可转型为型半导体；反之型半导体也可通过掺入足够的五价元素而转型为型半导体。 半导体中的两种电流（漂移电流：在电场作用下，载流子定向运动所形成的电流则称为漂移电流。（2）扩散电流：同一种载流子从浓度高处向浓度低处扩散所形成的电流为扩散电流。 PN结的形成通过一定的工艺，在同一块半导体基片的一边掺杂成P型，另一边掺杂成N 型P型和N型的交界面处会形成PN结。P区和N区中的载流子存在一定的浓度差，浓度差使多子向另一边扩散，从而产生了空间电荷和内电场；内电场将阻多子止扩散而促进少子漂移；当扩散与漂移达到动态平衡时，交界面上就会形成稳定的空间电荷层（或势垒区、耗尽层），即PN结形成。 半导体二极管二极管的结构及类型半导体二极管就是一个封装的PN结。半导体二极管的类型（1）按使用的半导体材料不同可分为硅管和锗管；（2）按结构形式不同可分为平面型和点接触型两种。通常，平面型的结面积较大，结电容也较大，适用于低频、大电流的电路；点接触型结面积小，结电容也小，适用于高频、小电流的电路。二极管的伏安特性（1）伏安特性表达式二极管是一个非线性器件，其伏安特性的数学表达式为?????????????????????? 当，且时，当，且时，在室温下，。由此可看出二极管具有单向导电的特性。（）温度对二极管特性的影响温度升高时，二极管的正向伏安特性曲线左移，正向压降减小；温度每升高1，正向电压降将降低2～2.5mV。二极管的反向饱和电流也随温度的改变二极管的应用（整流、检波和限幅）（1）二极管电路的模型分析法二极管是一个非线性器件，分析二极管电路时应采用非线性电路的分析方法。图解分析法和模型分析法是分析二极管电路的两种基本方法，模型分析法比较简便。模型分析法是根据二极管在电路中的实际工作状态，以及分析精度的要求，用一个线性电路模型代替实际的二极管。 理想模型：正向导通时，二极管正向压降为零；反向截止时，二极管电流为零。 恒压源模型：正向导通时，二极管正向压降为常数（硅管：0.7V，锗管：0.3V）；反向截止时，二极管电流为零。 微变等效模型：如果电路中除了直流电源外，还有微变信号（交流小信号）时，则对后者，二极管可用交流等效电阻表示，其值与静态工作点有关，即。（2）整流与检波电路整流与检波电路的工作原理相同，它们都是利用二极管的单向导电特性，将交变的双向信号，转变成单向脉动信号。（3）限幅电路在电子电路中，为了降低信号的幅度以满足电路工作的需要；为了保护某些器件不受大的信号电压作用而损坏，往往利用二极管的导通和截止限制信号的幅度，这就是所谓的限幅。晶体管的结构及类型晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称场效应管。晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区）形成的两个PN结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b和集电极c）。晶体管根据掺杂类型不同，可分为NPN型和PNP型两种；根据使用的半导体材料不同 ，又可分为硅管和锗管两类。晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置，集电结