补黑机良率提升改善提案--第四组侯相洋123.pptVIP

Confidential Confidential 1.选题理由 2.問題描述 3.原因分析 4.對策實施一 對策實施二 效果驗證 推廣應用 技朮匯總 Foxconn? General Interface Solution Confidential 補黑機良率提升改善案 集團IE技委會2012年菁幹班 提案改善交流發表大會 報告單位:第三營運中心 指導主管:陳松 報 告 人:侯相洋 報告日期: 2012年12月27日 Content 1.选题理由 2.問題描述 4.對策實施 5.效果驗證 3.原因分析 7.改善心得 6.技朮匯總 提升品質，減少公司損失，節省成本(緊急) 提升良率，減少客訴(重要) 增強團隊執行力，凝聚力(隱形) (一) 選題評估 (二) 選題理由 经我們團隊評估后，確立對補黑機良率進行改善 補黑作業流程圖 R-FD 補黑 NG NG 降等 OK 續流 補黑作業 R-BI R-FD R-FV R-FQC PKG 1.區分Laser可修復產品 (亮點,微亮點) 2.標示修復點詳細信息(坐標, Pixel顏色) 二次補黑流程 二次補黑作業 Aging2小時 领料 OK 標示二次補黑 人為操作不當 ??? 率 良 低 作業失誤 未補黑產品漏至R-FD 方法 來料 人員 設備 補黑設備镭射路徑偏移 雙stage真空由一個電磁閥控制 CELL異物規格放寬 不良坐標標錯 (一)魚骨圖分析 Panel來料CELL異物 Mark對位偏移 Panel保護膜穿透率差異 Panel點亮后形變差異 補黑镭射能量不穩定 一次Gapping不良 (二) 要因分析整理表 人為操作不當 ??? 率 良 低 作業失誤 未補黑產品漏至R-FD 方法 來料 人員 設備 補黑設備镭射路徑偏移 雙stage真空由一個電磁閥控制 CELL異物規格放寬 不良坐標標錯 (一)魚骨圖分析 Panel來料CELL異物 Mark對位偏移 Panel保護膜穿透率差異 Panel點亮后形變差異 補黑镭射能量不穩定 一次Gapping不良 原因分析與真因驗證一 (一) 真因驗證一：CELL異物規格放寬 (二) 結論 規格放寬后良率提升9.7%. RP-FD G3 Cell發亮異物(D0.3mm),W1241周開始變更為0.15mmD0.3mm且異物發亮部分不滿整個Sub-pixel可判定G1. W1240-W1241良率變化如下 真 因 原因分析與真因驗證二 (一) 真因驗證二：Panel保護膜穿透率差異 (三)結論 從9/3導入撕膜后镭射不良趨勢下降 镭射修復Sub-pixel,穿透Panel保護膜時因保護膜穿透率影響導致射線偏轉角度誤差造成镭射NG. 2012年9月3日設備調機由不撕膜镭射修正為撕膜后镭射做對比驗證: 1.選取30PCS B Sub-pixel待補黑產品,確認無其他降等不良.(B Sub-pixel修補良率高于RG) 2.統計此批產品數據對比9/3之前B Sub-pixel良率. (二) 佐證的證據 真 因 原因分析與真因驗證三 (一) 真因驗證三：雙stage真空由一個電磁閥控制 (三)結論 雙stage真空分別由兩個電磁閥控制有效提升 良率 雙stage真空由一個電磁閥控制時,第一片產品镭射完成后取產品需釋放真空,導致第二片產品镭射時未能被真空吸附固定,影響镭射焦距產生誤差. 9/8設備增加一根真空管使雙stage分別由兩個電磁閥控制驗證是否減小镭射焦距誤差產生的镭射不良. (二) 佐證的證據 真 因 原因分析與真因驗證四 (一)真因驗證四：Panel點亮后產品形變差異 (三) 結論 Panel點亮后產品形變差異對镭射會產生影響 1.產品點亮后發熱膨脹7-9μm,膨脹時間持續25-30s,镭射過程時間需121.3s,故剛點亮產品镭射時會造成镭射過程中產品發熱形變導致镭射對焦產生差異. 2.補黑機作業模式為2pcs產品交叉镭射,9/12開始驗證當開始镭射第一片產品的同時點亮第二片待镭射產品使其點亮發熱膨脹后穩定,減小镭射時焦距變化差異. (二)佐證的證據 改善前 改善后 真 因 原因分析與真因驗證五 (一) 真因驗證五：Mark對位偏移 (三) 結論 Mark對位偏移誤差會對镭射效果產生影響 補黑機镭射時需正對Sub-pixel, Mark對位偏移時Sub-pixel部分位置未能镭射到導致修補NG. 9/14設備調整Mark對位方式由十字形變更為Sub-pixel形對位驗證對位偏移是否影響镭射效果. (二) 佐證的證據 真 因 CELL異物規格放寬 計畫改善 (Plan) 對策實施 (Do) 改善效果 (Check) 檢討與標準化 (Action) 問題點 1.對R-FD人員進行