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本征半导体 — 半导体的原子结构和简化模型 元素半导体硅和锗共同的特点：原子最外层的电子（价 电子）数均为4。 本征半导体 — 半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。一定温度下,激发和复合达到动态平衡,载流子的浓度一定 结论： 磷原子 死区电压 硅管 0.5V,锗管0.1V 半导体二极管的伏安特性曲线 三极管实物图 2、极间反向电流 （1）集电极基极间反向饱和电流ICBO （2）集电极发射极间的反向饱和电流ICEO 小结 本讲主要介绍了以下基本内容： 双极性晶体管的结构和类型：NPN、PNP 晶体管的电流放大作用和电流分配关系 晶体管直流电流传输方程 三种不同的连接方式：共基极、共发射极和共集电极 晶体管具有放大作用的内部条件 晶体管具有放大作用的外部条件 晶体管的共射组态曲线特性 晶体管的主要参数 2．漏源电压VDS对漏极电流ID的影响 (1) VDS为0或较小时 (VGS＞VT) 晶体三极管的特性曲线 iB= f (vBE)? VCE=常数 1. 输入特性曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE vCE ?1V 工作压降： 硅管VBE?0.6~0.8V, 锗管VBE?0.2~0.3V。 vCE=0V 0.4 0.8 iB(?A) vBE(V) 20 40 60 80 VCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 三极管输入特性曲线与二极管特性相似 放大区 截止区 饱 和 区 vCE /V ICEO iC / mA 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2、输出特性 三极管有三种工作状态: 1)截止状态 2)放大状态 3)饱和状态 1) 截止区：iB ? 0 iC = iCEO ? 0 条件：两个PN结反偏或零偏 2) 放大区： iC=? iB vCvBvE 条件：发射结正偏 集电结反偏 3) 饱和区： 特点：iC ? ? iB 条件：两个PN结均正偏 iB 失去了对iC 的控制 深度饱和时VCES ? 0.1v , 此时C 极和 E 极之间相当于一个开关的闭合状态。利用三极管截止、饱和两种状态可做无触点开关。 三极管的主要参数 (1) 共发射极交流电流放大系数β。β体现共射极接法之下的电流放大作用。 (2) 共发射极直流电流放大系数β。 由式(1 -15)得 当ICICEO时, β≈IC/IB。 (3) 共基极交流电流放大系数α。α体现共基极接法下的电流放大作用。  (4) 共基极直流电流放大系数α。在忽略反向饱和电流ＩＣＢＯ时, 2. 极间反向电流 图 1 - 36 三极管极间反向电流的测量 ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ? ）ICBO 图 ICEO在输出特性曲线上的位置 3、极限参数 （a）V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压 （b）V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压 （c）V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压 (3)反向击穿电压 （2）集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCB≈ICVCE （1）集电极最大允许电流ICM 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 三、温度对晶体管特性及参数的影响 1、温度对ICBO的影响 结论 T 输入特性左移 ICEO IC T ICBO 温度每升高100C, ICBO增加约一倍。 温度每升高10℃，|VBE|大约下降2～2.5mV。 增大0.5－1％ 。 2、温度对输入特性的影响 T 正向特性曲线左移 半导体晶体管的型号 国家标准对半导体晶体管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、