半导体光电子器件半导体发光二极管教学PPT.pptVIP

* Ch5 半导体发光二极管---Light Emitting Diode------LED--- * 概述 LED、Laser基本结构与特点： 结构：半导体二极管（pn结）； 特点：单色性好， LED:10～50nm； Laser:0.01～0.1nm LED与Laser区别： LED： 自发发射，产生非相干光； Laser：受激发射，产生相干光。 LED与Laser发光机理： 正偏pn结电子与空穴复合，释放光子。 * 可能的辐射复合 一、 辐射复合与非辐射复合过程 1.辐射复合 a.本征复合—hν ~ Eg b.高能复合—hν Eg a b # 直接带隙复合: hν ~ Eg 间接带隙复合: hν ~ Eg+ nθ (1)带间复合 (2)杂质与带间复合 f j d e c.导带—受主 d.施主—价带 e.施主—受主 (3)深能级杂质复合 c h 俄歇复合 * (4)激子复合 激子：电子和空穴束缚形成的可在晶体中移动的中性粒子。激子中电子和空穴复合--激子复合。 (5)等电子复合: 等电子：同价原子取代主原子--称为等电子。 等电子中心：原子序数不同，内层电子结构不同，电负性不同。原子序数小的，电子亲和力大，易俘获电子成为负电中心。原子序数大的，易俘获空穴成为正电中心。该中心称为等电子中心。 等电子复合:等电子中心再俘获相反类型载流子形成束缚激子。之后复合发光，称等电子复合。 (6)等分子复合: 等分子：一种分子取代主分子-称为等分子。 等分子复合：若其电子亲和力大，易俘获电子成为负电中心。反之，易俘获空穴成为正电中心。然后再俘获相反类型载流子复合--称等分子复合。 * 2. 非辐射复合 （1）多声子跃迁 电子和空穴复合所放出的能量产生声子，这一过程叫 做子跃迁。声子跃迁的结果，使电子放出的能量转变为 晶格振动能。 （2）俄歇复合 电子和空穴复合时，把多余的能量传给第三个载流子。 获得能量的载流子又会产生多声子过程。这种复合称为俄 歇复合。 另外还存在许多其它的非辐射复合过程。 # 色散: 由于热能,电子能量略高于EC，空穴能量略低于EV， 所以，发射光子能量 * 二、半导体发光二极管 1.基本结构 2.基本工作原理 少子扩散长度 p n n+衬底 正偏； 非平衡少子辐射复合； 自发辐射； 能量-动量守恒。 * a.本征型 直接带隙 动量守恒--效率高； 能量守恒 间接带隙 动量不等-效率低。 直接跃迁 间接跃迁 直接跃迁 * Zn-O Zn N 施主-受主（几个晶格距离）： 激子： 等电子中心- 等分子中心- b.非本征型 * 3.发光效率 内量子效率： 外量子效率： * 4、影响发光效率因素 1）LED材料吸收 2）菲涅耳（fresnel）损耗 光子从一种介质入射另一种介质，因折射率不同而 部分光子被反射回，称菲涅耳损耗。 3）斯涅耳（snell）损耗 光子从折射率大的介质向折射率小的介质入射时， 若入射角大于其临界角θC ，则，入射光从界面全 反射回原介质。 * 3）菲涅耳（fresnel）损耗 GaAs: θC= 16°；GaP: θC= 17° 1）LED材料吸收 hν ≥ Eg（衬底、表面）--吸收。 GaAs吸收85%，GaP吸收25% 2）斯涅耳（snell）损耗 p n 衬底 p n 衬底 θC θS θ0 * 5、考虑效率的LED结构 1）抗反射膜 垂直入射光菲涅尔反射系数 * 2）异质结LED + - 有源层 限制层 限制层 有源层掺杂浓度与效率 p型限制层掺杂浓度与效率 n型限制层掺杂浓度与效率 P型ⅹ1017 n型ⅹ1017 降低吸收 1017 1018 1016 1017 * 3）封装外形与效率 * 7、光纤通信LED 8、侧光高强度LED * 9、白光LED 1）多基色 2）单色LED覆盖色彩转换材料 如荧光材料、有机染料、半导体材料等，吸收原色后发