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2017-12-18 发布于河北
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非晶La2O3薄膜的阻变存储性能

36 4 稀有金属 20 12 7 第卷第期年月 Vol. 36 No. 4 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS Jul. 20 12 非晶La O 薄膜的阻变存储性能研究 2 3 * ，，，赵鸿滨屠海令杜军张心强 ( ， 100088) 北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京 : Pt / Ti / SiO / Si La O ， Pt / La O / Pt 摘要采用脉冲激光技术在 2 衬底上沉积了非晶 2 3 薄膜制作并分析了 2 3 堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的。Pt / La O / Pt ，。 1. 8 × 106 s ，电阻转变特性 2 3 器件单元表现出了稳定的双极性电阻转变其高低阻态比大于两个数量级经过大于的读电压，。、，高低阻态的电阻值没有明显的变化表现出了良好的数据保持能力通过研究高低阻态的电流电压关系电阻值与器件面积的关系揭示了导电细丝的形成和破灭机制是导致Pt / La O / Pt 器件发生电阻转变现象的主要原因。 2 3 : ; ; ; 关键词氧化镧电阻转变非易失性脉冲激光沉积 doi :10. 3969 /j. issn. 0258 － 7076. 2012. 04. 012 中图分类号:TN386. 1 文献标识码:A 文章编号:0258 － 7076 (2012)－ 04 － 0574 － 04 Investigation on Resistive Switching Behaviors in Amorphous La O Films for 2 3 Storage Application * Zhao Hongbin ，Tu Hailing ，Du Jun ，Zhang Xinqiang (Advanced Electronic Materials Institute ，General Research Institute f or Non-Ferrous Metals ，Beij ing 100088 ，China) Abstract : The resistive switching properties in the amorphous La O films deposited on Pt / Ti / Si