20110510 半导体器件模拟仿真.ppt

语句#3 Implant 语句功能： implant(离子注入)语句定义了离子注入的工艺过程。 语法结构： Implant 【杂质参数】【模型选择参数】【注入条件参数】 语句解析： 选择解析模型、蒙特卡洛模型等不同的离子注入模型，来对离子注入工艺过程进行仿真。可以定义注入的杂质类型、并可对离子计量、能量等条件进行设置。 参数解析： 杂质类型参数 杂质类型可以是：ALUMINUM, ANTIMONY, ARSENIC, BERYLLIUM, BF2, BORON, CHROMIUM, GALLIUM, CARBON, GERMANIUM, INDIUM, MAGNESIUM, PHOSPHORUS, SELENIUM, SILICON,和 ZINC中的任意一种。 模型选择参数： （1）解析分布模型参数Gauss： 这里φ 是每平方厘米所使用的离子剂量，它可通过dose参数语句来定义。Rp 是设定的范围. ?Rp 范围的标准误差。 （2） 解析分布模型参数Pearson ： 由于实际的分布情况往往不是对称的，高斯分布有其局限性。 对于非对称离子注入分布的计算，最为简单并且被广泛使用的是 Pearson分布。特别是Pearson IV函数。Athena使用这个函数来 获得纵向离子注入分布。 （3） 解析分布模型参数Full.Lat ： 此模型是Pearson模型的拓展模型。 （4） Monte / BCA模型参数 Monte或 BCA模型激活了蒙特卡洛离子注入模块，这是基于 Binary Collision Approximation的模型。 （5） Crystal和 Amorphous参数 指定了离子注入仿真过程中是否考虑硅的晶体结构。此二参数 不能同时选定。默认条件下是Crystal模式。某些特定材料中要 明确使用Amorphous模式以避免得到错误的仿真结果。 注入条件参数 （1）Dose 定义了单位面积内所使用的杂质剂量。单位是每平方厘米。 （2）Full.Dose调整了用来补偿倾斜角的剂量。这种定义通常用 于高倾斜角度的离子注入。 tilt 调整后的剂量=剂量/ cos(tilt), 其中cos(tilt)是倾斜角的余弦值。 （3）Energy 定义了离子的能量，单位是KeV. 注入条件参数 （4）Tilt 定义了对应于垂直离子注入的倾斜角度，单位是度。默认为7度。 （5） Rotation定义了相对于仿真平面的旋转角度。 离子注入实例 （1） 下面的离子定义了具有100keV能量的剂量为1e14的磷， 偏角是15度。 IMPLANT PEARSON PHOSPH DOSE=1E14 ENERGY=100 TILT=15 （2）两种解析模型的仿真结果对比 IMPLANT PEARSON PHOSPH DOSE=1E14 ENERGY=100 TILT=15 IMPLANT Gauss PHOSPH DOSE=1E14 ENERGY=100 TILT=15 Pearson 模型 Gauss 模型 （3）改变偏转角度对注入后分布的影响 IMPLANT PEARSON PHOSPH DOSE=1E14 ENERGY=100 TILT=15 …… …… …… IMPLANT Gauss PHOSPH DOSE=1E14 ENERGY=100 TILT=75 （4）改变剂量对注入后分布的影响 IMPLANT PEARSON PHOSPH DOSE=1E12 ENERGY=100 TILT=15 …… …… …… IMPLANT Gauss PHOSPH DOSE=1E16 ENERGY=100 TILT=15 语句#3 diffuse 语句功能： diffuse(扩散)语句用来计算氧化、硅化以杂质的扩散。 语法结构： diffuse 【条件参数】【环境类型参数】 语句解析： 此语句定义了扩散或氧化的工艺步骤。任何在晶圆中出现的杂质都会扩散。如果晶圆被暴露在气体中，预沉积或氧化就会发生。 氧化和扩散的参数被包含在与之相关的Method或Oixde语句中。 参数解析： 条件参数 （1）Temperature温度参数 定义了熔炉温度。单位是摄氏度。范围在800～1200摄氏度之间。 在此温度范围之外的仿真会不精确，甚至出错。 （2）Time时间参数 定义了扩散的时间。单位可以是Hours(小时)，(minutes)分钟，和seconds（秒）。分别用 Hours, minutes, seconds来定义时间参数的单位，程序默认单位是分钟。 （3）T.Final 定义了最终要提升到的终止温度值。