二氧化硅高阻隔薄膜制备的质谱诊断及性能研讨.pdfVIP

二氧化硅高阻隔薄膜制备的质谱诊断及性能研究 张军峰，陈强，张跃飞，刘福平 (北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室，102600) 摘要 采用40KHz 中频脉冲电源，利用电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD ）技术，以六甲 基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体，氩气为辅助气体，在PET 薄膜表面沉积应用于透 明高阻隔包装的氧化硅薄膜，并对其进行研究。在薄膜的制备过程中,为了了解氧化硅的形成机理， 通过四极杆质谱仪对等离子体放电的气相中间产物及活性粒子进行原位检测；而通过傅立叶变换 红外光谱仪( FTIR) 及原子力显微镜（AFM）对沉积薄膜进行化学组成及表面形貌分析表征，探讨 沉积过程中等离子体气相粒子的产生和反应对薄膜特性的影响。 关键词：氧化硅，质谱，透氧率， 原子力显微镜 Diagnosis of SiO gas barrier film by Mass spectrometer and the x film characterizations ZHANG JunFeng, CHEN Qiang, ZHANG YueFei, LIU FuPing (Laboratory of Plasma Physics and Materials, Beijing Institute of Graphic Communication, Beijing 102600, China) Abstract: The characterization of SiO films deposited on PET substrates by plasma enhanced chemical vapor x deposition (PECVD) with 40KHz mid -frequency pulse power source as a transparent barrier layer was investigated in this paper . With carrier gas O , diluted gas Ar and monomer Hexamethyldisiloxane 2 (HMDSO) the films were prepared in a capacitively coupled plasma. . The intermediate precursor and reactive species or molecules were detected in-situ by means of quadrupole mass spectrometer. The possible plasma gas eous phase reactions for SiOx formation were derived. The compose and surface topography of thin films were also investigated through Fourier transform infrared spectroscopy ( FTIR) and atomic force microscope (AFM). Key Word: SiOx; Mass Spectrometer; OTR, AFM 张军峰：男，1982.07.22，汉族，北京印刷学院 等离子体物理及材料研究室 在读研究生，主要从 事低温等离子体诊断研究。 1．前言 氧化硅薄膜具有良好的绝缘特性[1]、耐磨性[2]、较低的透湿透氧性[3.4.5]、耐化 学性[3]以及良好的透光性[3] ，因而氧化硅薄膜广泛应用在微电子、抗腐蚀和高阻隔包 装等各个领域。目前制备二氧化硅薄膜的方法很多，有热分解沉积法、溅射法、真空 蒸发法、阳极氧化法、等离子体氧化法、热氧化法等[1-2] 。采用等离子体技术制备氧 化硅时，由于离子体中含有大量高能量的电子