低应力LPCVD氮化硅薄膜表面粗糙度及工艺影响因素研讨.pdfVIP

2005年12月 第十三届全目电子束·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 低应力LPCVD氮化硅薄膜表面粗糙度 及工艺影响因素研究 董立军 陈大鹏 (中国科学院微电子研究所，北京，100029) 摘要：用原子力显微镜对不同淀积条件下制备的低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度进行了 测量。发现了低应力IXCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度可以在几个纳米到几个埃之间变化。同时发现 在各种工艺条件中淀积压力对低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度影响最为显著。 关键词：表面粗糙度，低应力氮化硅，LPCVD，原子力显微镜 1． 引言 低应力氮化硅薄膜有着良好的应力特性和良好的可见光透过率，因此作为掩模支撑材料和透光 薄膜大量应用于钝化、隔离、电容介质、结构材料等领域”-23，针对不同的应用领域，对于氮化硅的机械 和物理特性的要求也有所不同，应用于钝化或电隔离介质时，要求高的击穿特性和高阻，应用于X射 线光刻掩模支撑材料的氮化硅要求低应力、高强度、高透光率，而在短波光学器件中，如ICF约束惯性 核聚变中的分束镜，除了上述要求外，还要求有良好的面形和粗糙度。我们通过改变LPCVD的工艺条 件获得了不同粗糙度的低应力氮化硅薄膜，通过透射电镜和应力测试结果分析，对LPCVD富硅氮化 硅薄膜表面粗糙度和各种工艺条件的关系进行了初步的研究。确认了影响氯化硅表面粗糙度的主要 工艺因素。 2．试验 NH，。通过更改温度、压力、流量配比获得不同条件的样品，然后分别用原子力显微镜和应力测试仪测 试表面粗糙度和薄膜应力，原子力显微镜型号为：SIDCVERI47，测量方式采用接触式测量，测量面积 为5000纳米的正方形区域。应力测试仪型号为：BGS6341型薄膜应力分布测试仪。用椭偏仪测折射 率，用干涉法测膜厚。用透射电子显微镜观察薄膜微观结构。 3．结果和讨论 在更改了各种工艺条件之后，我们发现淀积压力，对粗糙度的影响非常显著。我们分gⅡ测试了不 同工艺条件下样品的应力和粗糙度分布情况，测试结果见表1和图1，可以看出在保持压力不变的情 况下，随着淀积温度的升高，氮化硅的二维应力分布梯度逐渐趋向平缓，应力降低，但粗糙度变化不 大，而随着淀积压力的增加，粗糙度在逐渐变小，而应力变化并不大。 一339— 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 表1 样品号 淀积温度 淀积压力 折射率 厚度 粗糙度 二维应力 分布 l 650℃ lOOPa 1．9 200 图1a 1．86nm(图2a) 2 750℃ lOOPa 2．O 200 图1b 1．53nm(图2b) 3 800℃ 100Pa 1．9 200 图1c 1．55nm(图2c) 4 850℃ 80Pa 2．O 200 7nm(图2d)图ld 5 850℃ 100Pa 2．O 200 图1e 1．65nm([訇2e) 6