低碳含量aSiCxH薄膜的化学键结构研究.pdfVIP

低碳含量a-SiC.:H薄膜的化学键结构 ‘ 王燕 岳瑞峰 清华大学微电子学研究所，北京 100084 摘要:’本文采用Raman测量研究了低碳含量a-SiC,:H(-20at.%)薄膜的结构特征，两种不同 激光波长被用来激发这些材料。采用647.Inm傲发时，由于能量接近于各样品的光学带隙，因 而具有较大的透射深度，而488nm激发则被样品表面强列吸收。探测深度的变化造成了Raman 谱较大的差异，这些结果表明样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层，同时也证明样品体 内硅团簇结构的存在.这两种空间的不均性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比 低能激发时有大的红移和展宽.以上结果表明不同激发波长将造成Raman铡量结果的差异。 关键词:a-SiC,:H薄膜，Raman测I;TO模 1引言 作为光电子器件中的重要材料，目前对非晶a-SiC,:H薄膜有许多实验和理论上的研究。 采用PECVD方法淀积低应力Sic薄膜，对sic薄膜材料的各种性能进行分析研究，在此基础上. 先进行集成电路制造，后微机械加工是目前微机械发胀的重要趋势。由于可以通过改变化学 组分Y来改变其光学带隙和各种物理、电学特性，因此优化生长条件，提高物理特性，了解其 局域化的化学键机构是非常必要的。对于a-SiC,:H的结构已有许多小组采用Raman谱进行了研 究[[1-z1，但是这些研究并没有得出一致的关于非晶网络中有序度与碳含量关系的物理图象。 与文献[71类似，本文采用647.Lnm和488nm两种激发波长来研究低碳含量样品的Raman谱，通过 比较no和。To随徽发能量的变化，来推断低碳含量a-Sic,:H的微结构。 2实验 a-SiC,:H样品由PECVD方法分解硅烷、甲烷和氮气的混合气体制备。SiH,C氏和呢的流 量分别为5scem.1^-8sccm和15sccm，衬底温度保持在250C，反应室压力为133Pa左右，功率 0.1W/cmz,膜厚为0.3-1N皿。薄膜的结构由R阴朋和红外方法研究，采用c-Si(111)作衬底。 红外测盘是在Magna-760型FTIR上进行，Raman侧量是在DiIorSuperLabram上进行，Ar488nm 线和Kr`647.1nm线作为激发光，分辨率为1-2cm. 3结果和讨论 通常有两种常用的方法来描述硅碳合金的组分。一种采用甲烷的气相混合比， y=LCHj/[CH,+SiH,]，对应的碳组分为x=[Cl/[C+S幻，两个参最之间的关系当ys0.6时近似为 x--y/3()。本研究所采用的样品均为典型的器件质量样品的制备条件，C含童限制在不使器件 性能恶化的范围内。找们采用甲烷比例y来表征样品碳含量，实验中共采用四个样品，y分别 为y--0,yma.17,Y=O.37和Y=O.5.其相应的光学带隙分别为1.75eV,1.86eV,1.92eV,1.99eV, 图1为不同碳含量样品的红外吸收谱，谱中主要有六个吸收峰，如箭头所示。位于620cm 附近的较强的吸收带为Si-Hn摆动或滚动模:750cm附近的较弱的振动带为Si一伸缩模，这 个振动模的存在证明了在薄膜中已经形成了硅碳合金;而位于890cm附近的弱吸收带为Si-H2 和Si浅的弯折模，位于1000cm的弱振动带来自CHZSi和CH3Si弯折和摆动模，1100c口一，附 近的锐吸收带源于膜中与杂质氧有关的吸收。而Si-H伸缩振动模位于2030cm--2080cm，随 碳含a增加而增加。在纯的a-Si:H中该振动位于2000cm，向高预方向的移动源于硅原子除 与氢原子成键外还与碳原子同时成键，因此这个模式的蓝移进一步证明碳原子进入薄膜后己 与硅原子成键.由于实验中我们选取的为低碳含里样品.因此从红外侧量中可以发现样品中 Si-H键各种振动模较强，但从位于750ceiSi-C振动的出现和Si一伸缩振动随C含量增加蓝移 这两个现象可以判断碳原子和硅原子在膜中不以自由相分布存在，已形成化学秩序。 图2为四个样品的Raman散射谱，激发波长为488nm。从图中可以看出，当碳含t从y=0增 .国家自然科学基金青年基金资助课题，批准号 348 1,-0