超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究.docVIP

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超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究

超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究 第29卷第3期 2008年3月 太阳能 ACrAENERGIAESOLARISS1NICA Vo1.29,No.3 Mar..2008 文章编号:0254.O096(2008)03.0324-04 超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究 任丽,李彦林2,羊建坤2,刘晓平2,王敏花2 (1.河北:E业大学化工学院,天津300130;2.河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130) 摘要:对硅片线切割工艺中悬浮液特性进行了理论与实验分析,测绘了悬浮液的粘度与温度特性曲线和pH值 与温度特性曲线,为硅片的线切割工艺优化提供了理论和实验依据. 关键词:悬浮液;粘度;pH值;温度 中图分类号:TN305文献标识码:A 0引言 多线切割机(Multi—wireSaw,简称线锯)以极高 的生产效率和出片率广泛应用在超薄大直径太阳能 硅片加工领域.硅片在太阳电池的成本中几乎占了 60%,所以利用线切割设备的先进工艺和技术特性 来降低硅片成本,节约原材料,提高生产效率已成为 该领域目前关注的焦点. 切割过程是造成硅片表观缺陷,应力,破损和机 械损伤的最主要工序…,对太阳电池性能有很大影 响.因此研究线切割的工艺机理,研制新型悬浮液, 对光伏行业的发展有重要的指导意义. 1悬浮液特性 1.1悬浮液 性能优良的悬浮液兼有切削,粘滞,冷却三大功 能,在悬浮液中加入研磨砂(主要成份为SiC)后的悬 浮液又称砂浆.常用悬浮液为无色透明液体,具有 粘滞性,能携带SiC颗粒随线网一起运动.悬浮液 能有效降低硅片表面损伤应力,减小硅片的切割损 伤层,提高切削速度. 悬浮液的主要性能分析如下: 1)悬浮液能吸附在SiC颗粒表面上产生位垒, 使颗粒分散开来,达到分散,悬浮的特性;提高SiC 的分散稳定能力,防止颗粒团聚粘结,避免在硅片表 面形成短粗的浅划伤. 2)悬浮液的润滑作用能减小SiC颗粒对硅片的 强机械摩擦,使硅片表面与SiC间的摩擦转化为润 滑膜分子间的内摩擦,使摩擦副运动平稳,提高切削 速度;摩擦生热小,减小了切割损伤,应力和微 裂_3j.所谓润滑作用,是指悬浮液渗入线网.硅片 及线网一碎屑之间形成润滑膜.由于这层润滑膜,使 得这些界面的摩擦减轻,切削热,SiC颗粒磨损,硅片 表面损伤均减小. 3)悬浮液的渗透性为其重要性质,渗透性表现 为液体的粘度和浸润性.切割前沿温度很高,高温 可使悬浮液呈汽化分解状态渗入切割前沿,气体比 液体粘性力小,即使微小的间隙也能渗入J. 悬浮液渗入高温切割前沿区域内,通过对流和 汽化把切削过程产生的热量带走,降低切割前沿温 度,减少碱性悬浮液对硅片表面的氧化作用以及精 细工件的热变形,使硅片的表面化学作用一致性好, 并且它本身还应具备良好的散热能力l2J. 4)切割过程产生的大量碎屑和硅粉,容易互相 粘结且粘附在硅片和线网上,影响硅片表面粗糙度, 降低切割精度,因此要求悬浮液具有清洗功能,其与 液体的渗透性,流动性,粘度等因素有关.悬浮液 中含有表面活性剂,可以包附在碎屑周围,使其容易 脱落清洗,并附着在硅片表面抑止周围颗粒的污 染[. 1.2悬浮液粘温特性 由于超薄线切对硅片总厚度误差(TⅣ)的严格 要求,对工件室的机械系统精度要求甚严,故线切割 过程中的温度控制至关重要.线锯切割时间一般为 收稿日期:2006.09-05 通讯作者:李彦林(1978一)女,硕士研究生,主要从事太阳电池材料研究.ly12877@ 3期任丽等:超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究 几个小时,长时间的温升积累会使机床变形,直接影 响切片的质量,尤其是硅片的弯曲度,翘曲度等关键 质量指标.多线切割机都配有温控冷却系统. 硅锭进行线切割时,砂浆嘴将砂浆喷在线网上, 导轮转动线网将砂浆带进晶棒里.悬浮液温度越高 时,其分子热运动加快,分子间引力减小,粘度随之 变小,SiC颗粒在钢线上的附着能力就越差,在切割 前沿造成SiC堆积,切割时线锯的切削能力下降,影 响硅片的质量.这种情况经常出现,冬季的切割硅 片质量比夏季好,主要原因就是悬浮液的粘度受到 了环境温度的影响.图1为切割过程图. 砂嘴 工作 图1切割区示意图 Fig,1Mechanismofmulti—wiresaw 2粘度测量实验 当流体运动时,其内部出现相对运动,各质点间 或流体层间会产生切向的内摩擦力以抵抗其相对运 动,流体的这种性质被称为粘性J.液体粘度与温 度的关系非常密切.粘度与温度并不成线性关系, 它与温度范围有关,温度越低粘温关系越密切.液 体的粘性来自分子引力,温度升高,分子间的距离加 大,分子引力减小,内摩擦减弱,粘度就降低. 2.1实验 本实验用NDJ一1型旋转粘度计测量悬浮液的粘 度,转子转速为60r/min.用T

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