种子层对较大共格InAsGaAs量子点的形成的影响.pdfVIP

种子层对较大共格InAs/GaAs皿子点的形成的影响 张金福，刘会赞，徐 波，陈涌海，丁 鼎，王占国 (中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京100083) 摘 共:我们利用原子力显橄镜和透舫电于显徽忱系 我们通过对种子层对GaAs表面的形晌和平均 挽地研究了2个原子毕层加ks种予层对InAs/Gs InAs/G4s失配的减小对环型位幼形成作用系统的分 t子点尺寸和形状在不同lam及盈厚度(2.0,2.5,2.9 析，解释较大t子点在种子层影晌下形成的原因。 原子单层)的影响.对于单层样品，作共格而且校 由于种子层的作用，InAstOLAs失配将减小，从而非 大的】nmt干点d.蕊在2.5个原子单层的及且度. 共格t子点形成的临界尺寸将变大。通过镇型分析， 一旦移共格的全子点形成，全千点将迅速合并，形 由于种子层的作用，非共格t子点形成的临界半径 成不抓All的形状.与单层样品相比，在种子层的影 将由原来的Isfim增加到27nm.同时，我们的理论 响下校大且均匀的InAs全予点形成于2.9原子单层， 模型还解释另外的一些实验现象，如InGaAs/GaAs 其谈向尺寸达到43nm,高度达到 linm.另外，我 t子点对位错形成的抑制。 们现洲到了具有双棋分布的女子点在2.5原于单层的 及盆度出珑.我们通过对种子层对GaAs表面的影响 2 实 验 和平均 InAs/GaAs失醉的减小对环型位错形成作用 系晚地分析。解释校大t于点在种于层影响下形成 本文所用的样品是在固洲分子束外延 (Riber 的原因.同时，我们的理论模型还解释另外的一些 32P)中制备的，生长在GaAs(100)衬底上。样 实脸现象。如bGsGaAs贵于点对往错形成的抑 品结构是500mnGaAs缓冲层。2.0单原子层的IaAs 剑. f子点层.snm的GaAs隔离盖层，第二层f子点。 装价切:InAslGamf子点:种子层;分子束外延 第二层f子点的淀积厚度分别是2.0,2.5,2.，单原子 层。然后，衬底沮度快速降至1500c.为了进行透射 1 引 言 电子显徽忱和光致发光的研究，另外一个粗盖有6nm 的Lio.ZGty..As应变援冲层和 100amGaAs帽层的 近来，由于GaAs基1.3WmInAs盈子点激光器 2.9MLInAs原子单层的样品被研制。 的实现.人们对制备和研究较大而且共格的 1ncmuf子点产生浓厚的兴趣.其中，利用种子 3 结果与讨论 层的作用而制备出较大 1nAs/GaAsf子点的方法得 到了人们的关注。可是关于较大f子点形成的物理 首先。我们用原子力显徽镇研究了2.OMLInAs 机制，至今还没被人们所认识。解决这个问题对 (1) 种子层对t子点的尺寸和形状随nsi 淀积厚度的变 理解在多层f子点中f子点尺寸和形状的进展的机 化。图I(a)所示a02. InAs 子点种子层的原子 理 (2)制备非对称双层f子点，和 (3)实现大而 力显橄镜像.图I(b)一(d)所示的原子力显橄镜 共格的InAsIGaAs盆子点有宜要的愈kit-m. 像分别对应于受种子层形响时2.0.2.5和2.9原子单 对于单层样品，非共格而且较大的himt子点 层的InAs 子点.为了获褥关于f子点的定f的数 出现在2.5个原子单层的InAs扭盖度。一旦非共格 据，我们研究了t子点的高度和横向尺寸的分布. 的f子点形成，f子点将迅速合并。从而形成不规 图2(a)一(c)分别对应2.0,2.5291rAs原子单层 则形状的t子点IFS].与单层样品相比，在种子层的 的样品。在种子层f子点的作用下。尺寸均匀的f 形响下较大且均匀的InAsf子点形成于2.9原子单 子点在2.0原子单层时·高度和