硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究.pdfVIP

第6卷 第4期 功能材料1扮岁1.i报 4Dn户_N20.,0.40 200[年 12月 JOURNALOFFL:NCTIOVALMATPAIJAIS A1,DDEVICES 文章编号:1007一4252(2000)04一0305一04 硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究 卜志镇， 张昊翔，赵炳辉， 王字 刘红学 (浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310027) 摘要:采用反应蒸发法在提高了缓!A层的生长温度，通过盯Si垂上GaN样品缓沪层 区域的高分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区a子衍射(SHED)分析约基 础上提出了本系统GaN外延的晶体学位相关系和生长机理。GaN与Si衬底之{J年 在着下列的晶体学位相关系:GaN0001//SiI11,GaN1120//Si110}GaN 外延生长首先在硅衬底上形成GaN品核，生长出GaN多晶缓，层,GaN多品层在随 后的高温保温过程中重新结晶为择优取间约GaN微单晶层，最后以这种微单品层刃 模板进行晶体大面积的二维生长。同时还发现较高的缓冲层温度也明显提高了GaN 外延层的结晶质量。 关键词:氮化稼;硅基;外延;位相关系;生长机理 中图分类号:TN304.054 文献标识码 :A 1 引言 1988年，二步外延的生长方法被Yoshida等人1}1首次提出后，在以后的研究中被人们广泛 地加以采用，GaN外延薄膜的质量有了较大的提高。Akasaki等人在研究中发现 低温生长的 AIN为非晶态，均匀地覆盖在衬底上。当温度升高到正常生长温度时，AIN重新结晶，变成取 向化较高的多晶微粒(微单晶)，从而为后续的高温外延生长提供了一个相对完美的生长模 板川。本实验采用反应蒸发法，提高了缓冲层的生氏温度，通过对GaN样品缓冲层区域的高 分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SHED)的分析，提出了本系统GaN外 延的晶体学位相关系和生长模型，同时还发现较高的缓冲层生长温度也明显提高了GaN外延 层的晶体质量。 2 GaN样品制备 样品采用反应蒸发法以最佳的生长参数加以制备。晶向为(11岭的F型GZ-Si片做衬底 缓冲层生长温度为90090，生长时间为lOmin;外延层生长温度为1050`0，生长时间为40min, 收稿日期:2000一07-20;修订日期:200)一08一30 基金项目:国家自然基金重大项目(No.6989023助资助 作者简介:叶志镇(1955一)，男，博士，现为浙江大学教授、博士生导师t主要从事半导休薄膜材料与物理方面 的研究 功能材料与器件学报 6卷 样品制备好后，利用高分辨透射电镜进行外延薄膜横断面的界面分析;利用透射电镜对界面处 和外延层进行选区电子衍射分析，利用xRD对外延层的晶体学质量进行了分析。 3 实验分析 图1为GNa样品缓冲层区域断面的高分辨透射电镜像，可以清晰地看出，缓冲层的重结 晶质量很好。以前的研究发现800℃下生长的Ga入多晶缓冲层在随后的高温保温过程中重结 晶的取向性比较差，所以也很难分析GaN的外延晶体学取向关系。本系统与MBE相比，真空 度较低水源的产生无任何能量增强方式，而金属Ga与氨的反应较之于MOCVD中的化学气 相反应困难一些，因此缓冲层生长的温度相对要高，一方面提高反应的完成程度，另一方面为 表面原子的表面扩散提供足够的能量 聋巍萎蛋鑫鱼舅萎纂麦菱攀鑫蠢鑫麦鑫集蒸鬓鑫蓦差! 扮 Fig一ICrossseclionHRTEMim哪 oflheG，Ninterafoial即ne侧thlheelcet拍n卜eam paralleltothe 111》Znoexaisofsi 图IGaN/Sj界面区域的H几ErM像 FlgZS屁D四tle功ofhteGaNi目te币cialzone衍tht卜e Fig一3SAEDpallemofl阮GaNinLerafc]aIZo