模电课件-第三章二极管及其基本电路.ppt

2．模型分析法应用举例 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 * LOGO * LOGO * 信息学院 专业基础部 模拟电子技术－康华光 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 导体：能导电的物质，如金属：铜、铝、铁等。 绝缘体：不导电的物质，如橡皮、陶瓷和石英等。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间，典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 3.1.3 本征半导体 本征半导体——纯净的半导体。 T=0K时本征半导体中没有可以自由移动的带电粒子（即载流子），处于不导电状态，相当于绝缘体。 当半导体受光和热的激发时，价电子脱离原子核和共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，被称为空穴。 这种产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。半导体里的载流子有两种：自由电子和空穴。 3.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入三价或五价元素称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 N型半导体 五价杂质原子多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 多数载流子（多子）－－自由电子(主要由掺杂形成) 少数载流子（少子）－－空穴(本征激发形成，受温度影响较大) 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 P型杂质半导体 三价杂质原子与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由本征激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。 3.2 PN结的形成及特性 3.2.1 PN结的形成 3.2.2 PN结的单向导电性 3.2.1 PN结的形成 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 对于P型半导体和N型半导体结合面，形成的空间电荷区称为PN结（耗尽层）。 N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 3.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 加入正向外电场? 内电场被消弱? 多子的扩散增强? 形成一个较大的扩散电流 3.2.3 PN结的单向导电性 (2) PN结加反向电压时 外电场增强了内电场，使空间电荷区变得更宽，进一步抑制了多子的扩散，加强了少子的漂移，形成漂移电流， 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 结论：PN结具有单向导电性。 (3) PN结V-I 特性表达式 其中 PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） (4) PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 点接触型 特点：PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 面接触型 (2) 面接触型二极管 (b)面接触型 特点：PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 二极管的符号 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 3.3.3 二极管的主要参数 P71页 (1) 最大整流电流IF (2)