电力电子技术第四版习题集.doc

□ 附录： 习 题 集 一、填空 1、晶闸管的问世，使 电子技术 进入了强电领域，形成了 电力电子 学科。 2、电力电子变流技术的应用主要有以下几方面： 整流 、 直流斩波 、 逆变 、 交流电力控制 、 变频 和 变相 。 3、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。为： 1.57 9、晶闸管的工作状态有正向 阻断 状态，正向 导通 状态和反向 阻断 状态三种。 10、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为 普通晶闸管 ，50表示 额定电流50A ，7表示 额定电压700V 。 11、逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。24、在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是___电力二极管_____，属于半控型器件的是__晶闸管______，属于全控型器件的是__门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）______；属于单极型电力电子器件的有___电力场效应管（电力MOSFET _____，属于双极型器件的有___电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）_____，属于复合型电力电子器件得有 __绝缘栅双极型晶体管（IGBT）______；在可控的器件中，容量最大的是____门极可关断晶闸管（GTO）____，工作频率最高的是__电力场效应管（电力MOSFET ______，属于电压驱动的是___电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）_____，属于电流驱动的是___晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）_____。 减小 。 35、单相桥式全控整流电路带电阻负载，变压器二次绕组输出电压为U2，则整流输出电压平均值为： 。 答案： 36、单相桥式全控整流电路带阻感负载，变压器二次绕组输出电压为，则整流电压连续时的平均值为： 。 答案： 37、三相桥式全控整流电路带阻感负载，变压器二次绕组输出相电压为U2，则整流输出电压平均值为： 。 答案： 38、单相桥式桥式整流电路中，当增大晶闸管控制角α，负载上得到的直流电压平均值会 减小 。 39、三相桥式桥式整流电路中，当增大晶闸管控制角α，负载上得到的直流电压平均值会 减小 。 40、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为 电阻 性负载， 电感 性负载和 带反电动势 负载三大类。 41、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会 减小 ，解决的办法就是在负载的两端 并联 联接一个 续流二极管 。 42、单相桥式半控整流电路大电感负载，加续流二极管的目的是： 防止失控 。 43、单相半波可控整流，阻性负载。α移相范围为 0～180o 。 44、单相全控桥式整流电路，大电感负载。触发间隔为 180o ，α移相范围为 0～90o 。 三相半波桥式可控整流电路，阻性负载。α移相范围为 0～150o 。 46、三相桥式全控整流电路，阻性负载。α移相范围为 0～120o 。 47、三相桥式全控整流电路，感性负载。α移相范围为 0～90o 。 48、 三相桥式全控整流，6个晶闸管的脉冲触发间隔为 60o ，需采用 宽脉冲 或 双脉冲 触发方式。 49、三桥式全控整流电路，电阻性负载，如果有一只晶闸管不能导通，则输出的电压波形为 4脉波 。 50、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会 减小 。 当增大晶闸管可控整流的导通角θ，负载上得到的直流电压平均值会 增大 。 51、实现有源逆变的条件二，是： 要有直流电动