硅片湿法清洗工艺技术及设备发展趋势.doc

硅片湿法清洗工艺技术及设备 发展趋势 曹秀芳，姚立新，祝福生，宋文超 (中国电子科技集团公司第四十五研究所 ，北 京 101601) 摘 要 ： 简要介绍了硅片湿化学清洗工艺技术及清洗设备结构技术 ，包括一些典型的槽体 结 构 、 干燥工艺技术等 。 并就清洗技术的发展需要 ，阐述未来清洗设备的发展趋势 。 关 键 词 ： 硅 片 ；污 染 物 ；标准工业湿法清洗 ；槽 式 清 洗 ；旋 转 甩 干 ；单 片 旋 转 清 洗 中 图 分 类 号 ： TN305.97 文 献 标 识 码 ： B 文 章 编 号 ：1004-4507(2011)04-0009-06 Wafer Suface Wet Chemistry Rinse Technics And Equipment Making Technology CAO Xiufang，YAO Lixin，ZHU Fusheng，SONG Wenchao (The 45th Research Institute of CETC，Beijing 101601，China) Abstract: This article introduces wafer surface wet chemistry technics and Rinse equipment making technology，including some typical benches structure，drying technology and so on. This article describe The RCA Rinse equipment development roadmap in times to come. Keywords: Wafer；Contamination；The RCA clean；Bench tanks；Spin Rinse Dryer；Single Wafer Spinning Rinse 随着 IC 制造中关键尺寸的不断缩小，硅片在 进入每道工艺之前表面必须是洁净的，需经过重 复多次清洗步骤，去除硅片表面的颗粒、有机物、 金属及自然氧化层等类型的沾污，其清洗次数取 决于晶圆设计的复杂性和互连的层数。目前，湿法 化学清洗技术是半导体 IC 工业的主要清洗技术， 湿法清洗设备主要有槽式清洗、旋转冲洗甩干、单 片腐蚀清洗。 1 清洗工艺技术及发展趋势 1.1 硅 片 表 面 类 型 硅片的清洗方法及清洗效果主要取决于硅片 表面的类型及污染物。 芯片的制造过程大致在 FEOL 和 BEOL 之间间断进行，在 FEOL 阶段，硅 片表面主要去除 SI 和 SIO2；在 BEOL 阶段，由于 金属层出现在硅片表面，允许使用的清洗方法比 收 稿 日 期 ：2011-03-25  Equipment for Electronic Products Manufacturing 起 FEOL 阶段相对要少或严格的多。硅片表面的 类型分为亲水性和非亲水性，硅片亲水性与非亲 水性如图 1 所示。SIO2 表面是亲水性，亲水性表面 很容易通过湿法清洗及干燥处理；SI 表面是非亲 水性的，非亲水性表面比较难于清洗，不能像亲水 性表面很容易通过湿法清洗。 准液化学配料为：HCL：H2O2：H2O (1:1:6)，通常使 用加热到 75～85 ℃。 表 1 为湿法清洗常用化学液 名称 分子式 浓度 /% 密度 /kg·L-1 乙酸 氟化铵 氢氧化胺 盐酸 氢氟酸 双氧水 异丙醇 甲醇 硝酸 硫酸 CH3COOH NH4F NH4OH HCL HF H2O2 100 1.05 40 30 37 49 1.11 0.90 1.19 1.17 φ φ 30 1.10 CH3CHOHCH3 CH3OH HNO3 H2SO4 100 100 70 98 0.78 0.79 1.42 1.84 φ＞90 ℃ 非 亲 水 性 φ＜90 ℃ 亲 水 性 图 1 硅片表面亲水性与非亲水性 1.2 硅片表面污染类型 硅片表面污染物主要为：颗粒、金属杂质、有 机物、自然氧化层、静电。 由于 RCA 清洗使用了大量的化学液，因此实 际应用已经对 RCA 清洗做了改进，即稀释化学液， SC1 化学液比例为 1:4:50 而代替传统的 1:1:5。稀 释化学液在使用中对人体健康及安全有很大的改 良，而且因减少了化学液的使用，降低了工厂成本 及对环境的污染，是目前占统治地位的清洗技术。 表 2 为典型湿法清洗工艺流程。 1.3 主 要 清 洗 技 术 湿化学法清洗和干法清洗是目前主要清洗技 术。其中干法清洗又分为等离子体清洗、底温冷凝 喷雾清洗、超临界气相清洗、超凝态过冷动力学气 相清