熔体晶体生长准三维全局传热模型及应用.pdf

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：093534 熔体晶体生长准三维全局传热模型及应用 1，2,* 3 刘立军 ，柿本浩一 1 2 （西安交通大学能源与动力工程学院，西安 710049； 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 3 310027； 九州大学应用力学研究所，福冈，日本） * （Tel: 029Email: ljliu@mail.xjtu.edu.cn） 摘要：介绍了一种针对熔体晶体生长过程提出的准三维全局传热分析数值模型。针对熔体晶体生长系 统的结构和热场特点，设计了一种二维/三维混合网格离散方案和一种高效的全局模拟迭代策略。利用 该全局传热模型，耦合求解熔体晶体生长过程中包括热传导、热对流、热辐射和凝固相变在内的各种 传热现象，可取得跟利用全三维全局传热模型时相同的模拟效果，但是对计算时间和所需的计算机内 存容量要求大幅降低。作为该全局传热分析模型的应用实例，将其分别应用于水平磁场作用下的提拉 法单晶硅生长过程和多晶硅铸锭定向凝固过程的模拟，模拟结果正确反映了这些晶体生长过程中热场 的三维特征。 关键词：全局传热模型；晶体生长；提拉法；定向凝固法；数值模拟 0. 前言 高温条件下的熔体晶体生长技术广泛应用于各种半导体和功能材料的制备，晶体生 长过程中的热场设计和控制直接决定晶体的质量（比如晶体的完整性、缺陷形成、杂质 分布和金相组织等等），而结晶炉内的热场是一个包含对流、传导、辐射、化学反应热 和相变等多种换热方式相互作用的强耦合非线性热力系统。为了提高晶体的质量,必须 对结晶炉内的各种传热现象、机理和特征进行研究，从而对热场进行优化设计和管理。 但是，由于对大部分材料晶体生长过程的实验研究存在很大困难和高昂的实验费 用，一直以来，数值模拟技术都是研究结晶炉内物理现象和结晶工艺的重要手段。以晶 体硅的制备技术为例，在过去二十年中，人们已利用各种数值模型对直拉法制备单晶硅 和定向凝固法制备多晶硅铸锭进行了很多的数值研究[1-8]。我国学者对砷化镓等化合物 晶体生长过程也进行了很多数值研究工作[9]。所有这些数值模型可大致分为三类：局部 传热模型[1-3,9] １ [4-6] [7,8] ，二 维全局传热模型 和二维/三维组合模型 。事实上，由于结晶炉 内所有的要素之间通过对流换热、传导换热、辐射换热和相变换热等不同的换热形式而 密切相关，导致了结晶炉是一个高度非线性强耦合的热系统。另一方面，由于结晶炉内 的熔体流动和热场通常都是三维特征的，尤其是在高雷诺数或外力场作用下的熔体对流 是显著的三维流动。因此，为了更好地理解实际物理现象，阐明晶体生长过程复杂的传 热机理，对晶体生长过程进行三维全局分析是必要的。 然而，尽管关于局部传热模型和二维全局模拟方面的研究很多，关于三维全局模拟 方面的研究却鲜有报告。这是因为晶体生长过程的三维全局模拟需要非常大的计算机内 基金项目： 本论文工作得到国家自然科学基金项目、陕西省自然科学基础研究计划项目 (SJ08E201)和教育部新世纪优秀人才支持计划（NCET-08-0443 ）的资助。 存容量和很长的计算时间，特别是在辐射传热计算中，模型对计算机内存和计算时间的 需求量与系统中辐射元素总量的平方成正比。为克服上述困难，我们提出了一个熔体晶 体生长过程的准三维全局传热模型[10]，利用该全局模型，可取得跟利用全三维全局传热 模型时相同的模拟效果，但是对计算时间和所需的计算机内存容量要求大幅降低。该全 局传热模型已被成功应用于各种晶体生长过程的全局传热模拟[11,12]。 1. 准三维全局传热数值模型 以提拉法单晶炉为例说明晶体生长准 三维全局传热数值模型的建立。图1 所示 为一典型提拉法单晶